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8.2.10.3 4H-SiC反型层迁移率的实验结果∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-03-05 10:43 次阅读

8.2.10.3 4H-SiC反型层迁移率的实验结果

8.2.10 反型层电子迁移率

8.2 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

第8章单极型功率开关器件

《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

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