东京电子成功开发400层堆叠3D NAND闪存威廉希尔官方网站

东京电子9日宣布，成功开发出了可以用于制造400段以上堆砌而成的3d nand闪存的“存储器洞蚀刻威廉希尔官方网站 ”。研究组开发的新威廉希尔官方网站 首次使电蚀在低温下也能应用，发明了具有很高蚀觉速度的系统。

这一创新威廉希尔官方网站 可在短短33分钟内完成10微米深度的刻蚀，比以往的威廉希尔官方网站 大大缩短了时间。东京电子方面表示：“如果应用该威廉希尔官方网站 ，不仅有助于制造高容量3d nand，还可以减少84%的地球变暖危险。”

东京电子表示，开发该威廉希尔官方网站 的小组将于6月11日至16日在日本京都举行的“2023年招待所集成电路威廉希尔官方网站 及工程研讨会”上发表最新成果和报告书。