0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MAX2360中频槽路设计

星星科技指导员 来源:ADI 作者:ADI 2023-06-08 17:03 次阅读

本应用笔记介绍了压控振荡器(VCO)的槽路设计方法,并给出了常用的中频(IF) 130MHz、165MHz、380MHz压控振荡器的设计实例。这些设计减少了为优化设计而进行的重复工作,具体分析可借助一个简单的电子表格实现。

VCO设计

图2表示MAX2360 IF VCO的差分槽路,为便于分析,所给槽路只是一个简单的等效模型。图1表示基本的VCO模型,振荡频率由式1表示:

wKgaomSBnReANJ6QAAAJH2HdiIQ040.png

fosc= 振荡频率

L = 槽路线圈的电感值

Cint = MAX2360槽路端口的内部电容

Ct = 槽路的总计等效电容

wKgZomSBnRyAD70sAAAqjwDjjOA449.png


图1. 基本的VCO模型

Rn = MAX2360槽路端口的等效负阻
Cint = MAX2360槽路端口的内部电容
Ct = 槽路的总计等效电容
L = 槽路线圈的电感值

wKgaomSBnSGAZNG3AAAkk9mLkgA917.png


图2. MAX2360槽路

电感L与槽路等效电容和振荡器内部电容的总和产生谐振(Ct + Cint) (参见图1)。Ccoup提供隔直流、并将变容二极管的可变电容耦合至槽路。Ccent用来确定槽路振荡频率标称值的中心。它不是必须的,但为在不同的电感量之间调谐谐振腔提供了便利条件。电阻(R)通过调谐电压(Vtune)为变容二极管提供相反的偏置。应选择足够大的阻值,以保证加载后的槽路Q值不受影响;另外,还要保证电阻值足够小,使4kTBR噪声可以忽略。电阻的噪声电压受Kvco调制后将产生相位噪声。电容CV是槽路内部的可变调谐元件,变容二极管的电容(CV)是反向偏置电压的函数(变容二极管模型参见附录A)。Vtune是来自锁相环(PLL)的调谐电压。

图3在VCO模型中增加了Cstray,寄生电容和寄生电感使所有射频(RF)电路的罪魁祸首,为估算振荡频率必须考虑寄生参数。图3用电容Cstray表示寄生元件,振荡频率可由式2表示:

wKgaomSBmUSAEhwJAAAEjBj9Ou8551.gif

L = 槽路线圈的电感值
Cint = MAX2360槽路端口的内部电容
Ccent = 用于确定中心振荡频率的槽路电容
Cstray = 电容漂移
Ccoup = 槽路电容,用来将变容二极管耦合至槽路
CV = 变容二极管电容的净变量(包括串联电感)
Cvp = 变容二极管焊盘的电容

wKgZomSBmUaAV936AAASTOZo9W4714.gif


图3. Cstray模型

图4表示VCO模型的详细电路,它考虑了焊盘的等效电容,但为简便起见没有考虑串联电感。Cstray定义为:

wKgaomSBmUeATTrHAAABdvjwjPg978.gif EQN3

CL= 电感的电容量

CLP = 电感焊盘的电容量

CDIFF = 平行引线的等效电容

Rn = MAX2360槽路端口的等效负阻
Cint = MAX2360槽路端口的内部电容
LT = 电感槽路引线的串联电感
CDIFF = 平行引线的等效电容
L = 槽路线圈电感
CL = 电感等效电容
CLP = 电感焊盘等效电容
Ccent = 用于确定中心振荡频率的槽路电容
Ccoup = 槽路电容,用来将变容二极管耦合至槽路
Cvar = 变容二极管电容的变化量
Cvp = 变容二极管焊盘电容
LS = 变容二极管串联电感
R = 变容二极管反向偏置电阻的阻值

为简化分析,设计中忽略了电感LT。LT 通常对高频端影响较大,为了用下面的电子表格描述LT所产生的频率偏差的数学模型,可适当增大CDIFF,减小LT以避免产生所不希望的串联谐振。这一点可通过缩短引线实现。

调谐增益

为获得最佳的闭环相位噪声特性应尽可能降低调谐增益(Kvco),环路滤波器的电阻和电阻“R” (图2)会产生宽带噪声,宽带热噪声(

wKgZomSBmUmANuYRAAAAt6yj0rw280.gif

)将按照Kvco调制VCO输出,用单位MHz/V表示。减小Kvco的途径有两条:一是降低压控振荡器的调谐范围;第二种方法是增大所允许的调节电压范围。要在保证足够的VCO调谐频率范围的前提下减小其调谐范围,需要选用容差极小的元器件,后面将对这一点作详细描述。为扩大电压调节范围,需采用电荷泵电路以提供适当的电压范围,这种方式一般需要采用更高的Vcc。MAX2360允许的电压调节范围是:0.5V至Vcc-0.5V。电池供电应用中,电压调节范围受电池电压或稳压器的制约。

免调节设计的基本概念

VCO槽路设计中需对实际部件进行误差分析,为了设计一个振荡在固定频率(fosc)的VCO,必须考虑元件误差。在设计调谐增益(Kvco)时必须将这些元件容差考虑进去。元件容差越小、可能产生的调谐增益越小,闭环相位噪声就越低。考虑误差最大的情况,可以用以下三种VCO模型表示:

1. 元件最大值(式5)
2. 标准谐振电路,对应于元件标称值(式2)
3. 元件最小值(式4)

三种VCO模型都必须覆盖所期望的标称频率,图5描述了如何将三种设计统一起来,以便提供可行的设计方案。从式1和图5可以看出:元件最小值对应于振荡频率的高频端偏移,而元件最大值对应于振荡频率的低频端偏移。

wKgaomSBnTCAVLdrAABbA01J8Dc358.png


图5. 极端情况下的槽路中心频率和标称中心频率

为保证槽路的闭环相位噪声最小,需尽可能减小调谐范围。但要注意在考虑系统最大容差时仍能覆盖标准振荡频率。元件值分别达到最大和最小时,槽路的调谐范围尽量靠近所期望的振荡频率的边沿,考虑到系统容差对式2加以修正,可得最大误差时对应的振荡频率式5:

wKgaomSBnT-ACuXPAAAwKhW-RSo272.png

TL = %电感(L)的容差

TCINT= %电容(CINT)的容差

TCCENT = %电容(C

CENT)的容差

TCCOUP = %电容(CCOUP)的容差

TCV = %变容二极管电容(CV)的容差

式4和式5假设偏差量没有容差。

一般设计过程

步骤1

估算或测量焊点的寄生电容或其它寄生电容:用Boonton 72BD电容计对MAX2360评估板进行测试,测得寄生电容为:CLP = 0.981pF、CVP = 0.78pF、CDIFF = 0.118pF。

步骤2

确定电容Cint:这个参数在MAX2360/MAX2362/MAX2364数据资料的第5页查找到,谐振端口的1/S11随频率变化的典型工作特性给出了几个常用频点时的等效并联RC参数,附录B包含了槽路端口频率在高频端和低频端时Cint与频率的对应关系表。需要牢记的是本振频率为IF频率的两倍。

例如:

如果IF为130MHz,本振工作频率为260MHz。由1/s11图表可得Rn = -1.66kΩ、Cint = 0.31pF。

步骤3

选择电感:最好从几何平均值入手,这是一个需要重复迭代的过程。

wKgZomSBnU6AQJZYAAAJl_LK7xw558.png

上式中电感、电容的单位分别用nH、pF表示(1x10-9 x 1x10-12 = 1x10-21)。如果fosc = 260.76MHz、L = 19.3nH,则槽路总计电容为C = 19.3pF。最初选择容差为2%、电感量为18nH的Coilcraft 0603CS-18NXGBC比较恰当。

如果选择电感具有一定的局限性时,式6.1将是一个很有用的公式。对于一个固定振荡频率fosc,LC的乘积应保持恒定。

wKgZomSBmU-AHqlZAAABYzSHLwY967.gif EQN6.1

fosc = 260.76MHz时,LC = 372.5,按照表1采用试凑的方法可以得到:电感取39nH、容差为5%,而槽路总电容为9.48pF。此时,图6中LC乘积为369.72,非常接近理论值372.5。由此可以看出上述关系时的实用性。为保证较低的相位噪声,选用高Q值电感,如:Coilcraft 0603CS系列,如果能够合理控制微带线的容差和Q值,也可选用微带线。

wKgaomSBmVGACWMEAAAgLPIpLGs167.gif


图6. 130.38MHz IF槽路

步骤4

确定锁相环(PLL)的合理范围:该参数表示VCO整个调谐电压(Vtune)的工作范围,对于MAX2360,适当范围为:0.5V至VCC-0.5V,如果VCC = 2.7V,则调谐电压范围为:0.5V至2.2V,电荷泵输出限定这一范围。槽路电压摆幅为1VP-P、电压摆幅的中点为1.6V直流,即使选用较大的Ccoup,变容二极管也不会产生正偏。这是一个需要避免的情况,因为二极管将会影响槽路引脚上的交流信号,产生所不期望的杂散响应、造成闭环PLL的失锁。

步骤5

选择变容二极管,在所规定的调谐电压范围内选择容差较小的变容二极管,并保证串联电阻最小,确认变容二极管的自共振频率高于所期望的工作频率。在规定的工作电压范围内察看CV(2.5V)/CV(0.5V)的比率。如果选择较大的耦合电容Ccoup,最大调谐范围可利用式2计算;如果选择较小的耦合电容Ccoup,将会降低有效的频率调谐范围。选择变容二极管时需给出调谐范围的中点和端点处的容差,可以选择一个特性曲线较陡峭的变容二极管,如Alpha SMV1763-079,进行线性调节。取槽路总电容、并将其用于变容二极管的Cjo。注意,Ccoup会降低变容二极管耦合到槽路的电容。

步骤6

确定耦合电容Ccoup:Ccoup较大时,变容二极管耦合到槽路的电容较大、使调谐范围增大,但会降低槽路加载后的Q值。Ccoup较小时,会提高耦合变容二极管的Q值和加载后的Q值,但它是以减小调谐范围为代价的。通常是在保证调谐范围的前提下尽可能选择小的容量值。选择较小Ccoup的另一个好处是可以降低变容二极管两端的电压摆幅。

步骤7

确定电容Ccent。一般Ccent取2pF,考虑到电容误差也可选用稍微大一点的电容。利用Ccent调整VCO的标准频率。

步骤8

按照制作的电子表格推敲设计参数。

MAX2360在130.38MHz、165MHz和380MHz IF时的VCO槽路设计

下列电子表格给出了MAX2360在几个通用IF频点的设计,请牢记:LO振荡频率应为所期望的IF频率的两倍。

浅灰色代表计算值
深灰色代表用户的输入参数

表1. 130.38MHz IF槽路设计

MAX2360 Tank Design and Tuning Range for 130.38MHz IF Frequency
Total Tank Capacitance vs. V tune
V tune Total C Ct
(Nominal)
Ct
(Low)
Ct
(High)
0.5V Ct high 10.9296pF 10.1242pF 11.6870pF
1.375V Ct mid 9.4815pF 8.4068pF 10.4077pF
2.2V Ct low 8.0426pF 6.9014pF 9.0135pF
Tank Components Tolerance
Ccoup 18pF 0.9pF 5%
Ccent 2.7pF 0.1pF 4%
Cstray 0.69pF
L 39nH 5.00%
Cint 0.31pF 10.00%
Parasitics and Pads (C stray)
Due to Q CL 0.08pF
Ind. pad CLp 0.981pF
Due to || Cdiff 0.118pF
Var. pad Cvp 0.78pF
Varactor Specs
Alpha SMV1255-003
Cjo 82pF Varactor Tolerance
Vj 17V 0.5V 19.00%
M 14 1.5V 29.00%
Cp 0pF 2.5V 35.00%
Rs Reactance
Ls 1.7nH XLs 2.79
Freq 260.76MHz
Nominal Varactor X c NetCap
Cvhigh 54.64697pF -11.16897 72.80216pF
Cvmid 27.60043pF -22.11379 31.57772pF
Cvlow 14.92387pF -40.89758 16.01453pF
Negative Tol Varactor (Low Capacitance)
Cvhigh 44.26404pF -13.78885 55.46841pF
Cvmid 19.59631pF -31.14619 21.52083pF
Cvlow 9.700518pF -62.91935 10.14983pF
Positive Tol Varactor (High Capacitance)
Cvhigh 65.02989pF -9.385688 92.47168pF
Cvmid 35.60456pF -17.14248 42.51182pF
Cvlow 20.14723pF -30.2945 22.18712pF
Nominal LO
(Nom) Range
Low Tol IF
(High) Range
Nominal IF
(Nom) Range
High Tol IF
(Low) Range
Flow 243.77MHz 129.93MHz 121.89MHz 115.03MHz
Fmid 261.73MHz 142.59MHz 130.86MHz 121.90MHz
Fhigh 284.18MHz 157.37MHz 142.09MHz 130.98MHz
BW 40.40MHz 27.44MHz 20.20MHz 15.95MHz
% BW 15.44% 19.24% 15.44% 13.09%
Nominal IF Frequency 130.38MHz
Design Constraints
Conditionfor boldnumber =IF > IF
Delta 0.45 -0.48 0.60
Test pass pass pass
Raise or lower cent freq by -0.48 MHz
Inc or dec BW -1.05 MHz
Cent adj for min BW 130.46 MHz
K vco 23.77MHz/V

wKgZomSBmVKAZMKcAAAgk6Vawt8165.gif


图7. 165MHz IF槽路

浅灰色代表计算值
深灰色代表用户的输入参数

表2. 165MHz IF槽路设计

MAX2360 Tank Design and Tuning Range for 165MHz IF Frequency
Total Tank Capacitance vs. V tune
V tune Total C Ct
(Nominal)
Ct
(Low)
Ct
(High)
0.5V Ct high 10.0836pF 9.2206pF 10.8998pF
1.375V Ct mid 8.5232pF 7.3878pF 9.5095pF
2.2V Ct low 7.0001pF 5.8130pF 8.0193pF
Tank Components Tolerance
Ccoup 18pF 0.9pF 5%
Ccent 1.6pF 0.1pF 6%
Cstray 0.62pF
L 27nH 5.00%
Cint 0.34pF 10.00%
Parasitics and Pads (C stray)
Due to Q CL 0.011pF
Ind. pad CLp 0.981pF
Due to || C diff 0.118pF
Var. pad Cvp 0.78pF
Varactor Specs
Alpha SMV1255-003
Cjo 82pF Varactor Tolerance
Vj 17V 0.5V 19.00%
M 14 1.5V 29.00%
Cp 0pF 2.5V 35.00%
Rs 1ohm Reactance
Ls 1.7nH XLs 3.52
Freq 330.00MHz
Nominal Varactor Xc NetCap
Cvhigh 54.646968pF -8.8255163 90.986533pF
Cvmid 27.600432pF -17.473919 34.574946pF
Cvlow 14.923873pF -32.316524 16.750953pF
Negative Tol Varactor (Low Capacitance)
Cvhigh 44.264044pF -10.895699 65.431921pF
Cvmid 19.596307pF -24.611153 22.872103pF
Cvlow 9.7005176pF -49.717729 10.440741pF
Positive Tol Varactor (High Capacitance)
Cvhigh 65.029892pF -7.4164003 123.93257pF
Cvmid 35.604558pF -13.545673 48.128632pF
Cvlow 20.147229pF -23.938166 23.626152pF
Nominal LO
(Nom) Range
Low Tol IF
(High) Range
Nominal IF
(Nom) Range
High Tol IF
(Low) Range
Flow 305.02MHz 163.63MHz 152.51MHz 143.15MHz
Fmid 331.77MHz 182.81MHz 165.88MHz 153.26MHz
Fhigh 366.09MHz 206.08MHz 183.04MHz 166.90MHz
BW 61.07MHz 42.45MHz 30.53MHz 23.74MHz
% BW 18.41% 23.22% 18.41% 15.49%
Nominal IF Frequency 165MHz
Design Constraints
Conditionfor boldnumber < IF = IF > IF
Delta 1.37 -0.88 1.90
Test pass pass pass
Raise or lower cent freq by -0.88 MHz
Inc or dec BW -3.26 MHz
Cent adj for min BW 165.26 MHz
K vco 35.92MHz/V

wKgaomSBmVSAZrW0AAAgLnczsTc253.gif


图8. 380MHz IF槽路

浅灰色代表计算值
深灰色代表用户的输入参数

表3. 380MHz IF槽路设计

MAX2360 Tank Design and Tuning Range for 380MHz IF Frequency
Total Tank Capacitance vs. V tune
V tune Total C Ct
(Nominal)
Ct
(Low)
Ct (High)
0.5V Ct high 6.9389pF 6.6119pF 7.2679pF
1.35V Ct mid 6.2439pF 5.9440pF 6.5449pF
2.2V Ct low 5.7813pF 5.5040pF 6.0593pF
Tank Components Tolerance
Ccoup 15pF 0.8pF 5%
Ccent 2.4pF 0.1pF 4%
Cstray 1.42pF
L 6.8nH 2.00%
Cint 0.43pF 10.00%
Parasitics and Pads (C stray)
Due to Q CL 0.08pF
Ind. pad CLp 0.981pF
Due to || Cdiff 0.85pF
Var. pad Cvp 0.78pF
Varactor Specs
Alpha SMV1255-003
Cjo 8.2pF Varactor Tolerance
Vj 15V 0.5V 7.50%
M 9.5 1.5V 9.50%
Cp 0.67pF 2.5V 11.50%
Rs 0.5Ω Reactance
Ls 0.8nH XLs 3.82
Freq 760.00MHz
Nominal Varactor X c Net Cap
CVhigh 6.67523pF -31.37186 7.600784pF
CVmid 4.286281pF -48.8569 4.649858pF
CVlow 2.904398pF -72.10251 3.06689pF
Negative Tol Varactor (Low Capacitance)
CVhigh 6.174588pF -33.91552 6.958364pF
CVmid 3.879084pF -53.98553 4.174483pF
CVlow 2.570392pF -81.47176 2.696846pF
Positive Tol Varactor (High Capacitance)
CVhigh 7.175873pF -29.18313 8.256705pF
CVmid 4.693477pF -44.61818 5.132957pF
CVlow 3.238404pF -64.66593 3.441726pF
Nominal LO
(Nom) Range
Low Tol IF
(High) Range
Nominal IF
(Nom) Range
High Tol IF
(Low) Range
Flow 732.69MHz 379.11MHz 366.35MHz 354.43MHz
Fmid 772.40MHz 399.84MHz 386.20MHz 373.50MHz
Fhigh 802.70MHz 415.51MHz 401.35MHz 388.17MHz
BW 70.00MHz 36.41MHz 35.00MHz 33.74MHz
% BW 9.06% 9.11% 9.06% 9.03%
Nominal IF Frequency 380MHz
Design Constraints
Conditionfor boldnumber < IF = IF > IF
Delta 0.89 -6.20 8.17
Test pass pass pass
Raise or lower cent freq by -6.20 MHz
Inc or dec BW -9.07 MHz
Cent adj for min BW 383.64 MHz
K vco 41.18MHz/V

附录A

wKgZomSBmVWAHBE4AAAPvnHaiBE390.gif


图9. 变容二极管模型

Alpha应用笔记AN1004对变容二极管模型提供了更多信息。变容二极管电容定义为式7:

wKgaomSBmVeATAIMAAAB_Ab8zPU192.gif EQN7
Alpha SMV1255-003 Alpha SMV1763-079
Cjo = 82 pF Cjo = 8.2 pF
Vj =17 V Vj =15 V
M = 14 M = 9.5
Cp = 0 Cp = 0.67
Rs = 1Ω Rs = 0.5Ω
Ls = 1.7 nH Ls = 0.8 nH

变容二极管串联电感可以用反向输出的感抗表示,计算新的等效电容CV为:

wKgZomSBmViAbv3lAAABnBO3Vjc464.gif EQN8

审核编辑:郭婷

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 二极管
    +关注

    关注

    147

    文章

    9639

    浏览量

    166493
  • 振荡器
    +关注

    关注

    28

    文章

    3832

    浏览量

    139090
  • VCO
    VCO
    +关注

    关注

    12

    文章

    190

    浏览量

    69194
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    中频接收机设计

    相较传统的超外差接收机,零中频接收机具有体积小,功耗和成本低,以及易于集成化的特点,正受到越来越广泛关注,本文结合德州仪器(TI)的零中频接收方案(TRF3711),详细分析介绍了零中频接收机的威廉希尔官方网站 挑战以及解决方案。
    发表于 09-25 14:02 7654次阅读
    零<b class='flag-5'>中频</b>接收机设计

    中频的主要问题有哪些?

    中频的主要问题有哪些?什么是本振泄漏?什么是耦次失真?
    发表于 06-21 06:33

    中频射频接收机威廉希尔官方网站

    摘 要:零中频(Zero IF)或直接变换(Direct-Conversion)接收机具有体积小、成本低和易于单片集成的特点,正成为射频接收机中极具竞争力的一种结构。本文在介绍超外差(Super
    发表于 03-11 13:18 3353次阅读
    零<b class='flag-5'>中频</b>射频接收机威廉希尔官方网站

    什么是零中频威廉希尔官方网站

    什么是零中频威廉希尔官方网站 首先明确,零中频可以说是一种威廉希尔官方网站 ,引申出来零中频电路,再引零中频电路出来的信号(零中频信号I,Q) 1. 零
    发表于 06-16 13:39 4478次阅读

    中频射频接收机威廉希尔官方网站

    中频射频接收机威廉希尔官方网站 ,有需要的下来看看
    发表于 12-16 22:23 36次下载

    评估AD6679中频分集接收机

    评估AD6679中频分集接收机
    发表于 05-09 21:26 3次下载
    评估AD6679<b class='flag-5'>中频</b>分集接收机

    评估AD6674中频分集接收机

    评估AD6674中频分集接收机
    发表于 05-13 15:00 2次下载
    评估AD6674<b class='flag-5'>中频</b>分集接收机

    SAW Filter在零中频接收机的角色扮演

    SAWFilter在零中频接收机之角色由可知,其零中频接收机的架构如下通常在LNA前端,会加入SAWFilter,来抑制OutbandNoise对接收性能的危害。
    的头像 发表于 08-23 10:00 940次阅读

    基于多相滤波的宽带中频正交采样数字零中频接收方案

    :针对高速率 QPSK 数据传输链系统,比较分析了数字中频接收与零中频接收的优、缺点,并提出了一种基 于多相滤波的宽带中频正交采样数字零中频接收方案。基于 FPGA 对此数字零
    发表于 12-12 15:44 3次下载

    MAX2360中频谐振箱设计

    本应用笔记介绍了三种压控振荡器(VCO)设计,适用于130MHz、165MHz和380MHz的常用IF频率。这些设计减少了优化结果所需的迭代次数。分析可以通过简单的电子表格程序完成。
    的头像 发表于 02-24 14:33 833次阅读
    <b class='flag-5'>MAX2360</b>的<b class='flag-5'>中频</b>谐振箱设计

    射频架构之零中频架构威廉希尔官方网站 解析

    中频架构是将基带直接变为射频,与超外差方案相比,减小了中频和本振射频电路、中频滤波器等的使用,因此零中频架构收发信机具有体积小、功耗低、便于集成等优点。
    发表于 07-10 10:21 4823次阅读
    射频架构之零<b class='flag-5'>中频</b>架构威廉希尔官方网站
解析

    中频接收机IQ不平衡的来源和影响

    在零中频架构的一个痛点----直流偏移和二阶失真产物-零中频接收机的另一个痛点,讲了零中频接收机的两个痛点。
    的头像 发表于 08-23 14:02 2953次阅读
    零<b class='flag-5'>中频</b>接收机<b class='flag-5'>中</b>IQ不平衡的来源和影响

    从星座图上观察零中频恶化的来源

    中频架构在当下的设计应用的越来越多,零中频架构是将基带直接变为射频,与超外差方案相比,减小了中频和本振射频电路、中频滤波器等的使用,因此
    的头像 发表于 10-17 14:00 1366次阅读
    从星座图上观察零<b class='flag-5'>中频</b>恶化的来源

    中频接收机的架构设计分析

    由于零中频接收机的中频有用信号位于零中频附近,所以这个低频率的失真信号,会对有用信号的SNR产生影响,因此,在零中频接收机,对系统影响比较
    的头像 发表于 04-16 14:31 857次阅读
    零<b class='flag-5'>中频</b>接收机的架构设计分析

    为什么窄信道带宽接收机偏向采用低中频而不是零中频架构呢?

    中频接收机除了IQ mismatch带来的镜像,本振泄露等带来的直流偏移,射频链二阶非线性带来的抗干扰等问题之外,还有一个零中频接收机固有的缺陷,那就是闪烁噪声。
    的头像 发表于 04-18 11:23 1519次阅读
    为什么窄信道带宽接收机偏向采用低<b class='flag-5'>中频</b>而不是零<b class='flag-5'>中频</b>架构呢?