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CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET:功能强大的应用解决方案

爱美雅电子 来源: jf_45550425 作者: jf_45550425 2023-06-08 14:24 次阅读

摘要:CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。该器件采用SGTLV MOSFET威廉希尔官方网站 ,具有出色的Qg*Ron产品(FOM),极低的导通电阻(Ron),适用于多种应用场景。本文将介绍CMSH10H12G的特点、应用领域以及关键性能参数。

正文: CMSH10H12G MOSFET采用先进的SGTLV MOSFET威廉希尔官方网站 ,具有卓越的性能和可靠性。它在电源管理负载开关和UPS等应用中发挥着重要作用。

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该器件的主要特点之一是其出色的Qg*Ron产品(FOM)。通过优化设计,CMSH10H12G实现了较低的输入和输出电容,并提供了更高的开关速度和更低的导通电阻。这使得它在高频率开关应用中具有出色的性能。

另一个引人注目的特点是其极低的导通电阻(Ron)。CMSH10H12G在各种工作条件下都能提供低电阻通路,从而降低了功率损耗和热量产生。这对于需要高效能和低发热的应用非常重要。

CMSH10H12G在多个领域都有广泛的应用。在电池管理方面,它可以用于电池充电和放电保护电路,提供可靠的电源管理功能。在负载开关方面,该器件可用于控制各种负载,如电机、灯光和传感器。另外,在UPS(不间断电源)系统中,CMSH10H12G能够提供高效能和可靠的电力转换。

对于符合RoHS要求的应用,CMSH10H12G是一个理想的选择。它符合RoHS指令的要求,对环境友好且不含有害物质。

在关键性能参数方面,CMSH10H12G拥有卓越的性能。其最大漏极-源极电压为100V,最大的连续漏极电流(在温度为25℃时)为120A。此外,该器件还具有低漏极-源极电阻、高脉冲漏极电流和较大的单脉冲击穿能量。

总结: CMSH10H12G是一款功能强大的100V N-Channel SGT MOSFET,适用于多种应用场景。其采用先进的SGTLV MOSFET威廉希尔官方网站 ,具有出色的Qg*Ron产品(FOM),极低的导通电阻(Ron),以及符合RoHS要求。

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CMSH10H12G在电池管理方面具有重要作用。它可用于电池充放电保护电路,确保电池的安全运行和长寿命。其高效能和可靠性使得电池管理系统能够提供稳定的电源管理功能,满足现代便携设备和电动车等应用的需求。

在负载开关方面,CMSH10H12G展现出优异的性能。它可用于控制各种负载,如电机、灯光和传感器。其低导通电阻和高开关速度确保了高效能的负载开关操作,从而提高系统的效率和响应速度。

此外,CMSH10H12G在UPS(不间断电源)系统中也发挥着重要作用。UPS系统需要可靠的电力转换和保护功能,以确保在电网故障或停电情况下持续供电。CMSH10H12G提供高效能和可靠性,使得UPS系统能够有效地将电能转换和存储,为关键设备提供稳定的电源。

关于关键性能参数,CMSH10H12G具有令人瞩目的特点。其最大漏极-源极电压为100V,允许在较高的电压范围内工作。同时,在温度为25℃时,其最大连续漏极电流可达120A,提供强大的电流承载能力。此外,该器件还具有低漏极-源极电阻,以及高脉冲漏极电流和较大的单脉冲击穿能量,适用于要求高性能和可靠性的应用。

综上所述,CMSH10H12G是一款功能强大的100V N-Channel SGT MOSFET,具有出色的Qg*Ron产品(FOM)、极低的导通电阻(Ron)以及符合RoHS要求。它在电池管理、负载开关和UPS等应用中提供高效能和可靠性,满足各种应用领域的需求。

审核编辑黄宇

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