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BGA 封装工艺简介

1770176343 来源:SMT之家 2023-05-23 09:56 次阅读

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SIDE VIEW

Typical Assembly Process Flow

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FOL– Front of Line前段工艺

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FOL– Front of Line Wafer

【Wafer】晶圆

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FOL– Back Grinding背面减薄

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将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(5mils~10mils);

磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;

FOL– Wafer Saw晶圆切割

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目的:

将晶圆粘贴在蓝膜(Tape)上,使得即使被切割开后,不会散落;

通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序;

Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;

FOL– Back Grinding背面减薄

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FOL– Wafer Saw晶圆切割

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FOL– Optical Inspection

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主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现不良产品

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Chipping Die 崩 边

FOL– Die Attach 芯片粘接

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FOL– Die Attach 芯片粘接

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芯片拾取过程:

1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于脱离蓝膜;

2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片,完成从Wafer到L/F的运输过程;

3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上,具体位置可控;

4、Bond Head Resolution:X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um;

5、Bond Head Speed:1.3m/s;

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FOL– Die Attach 芯片粘接

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FOL– Die Attach 芯片粘接

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FOL– Epoxy Cure 银浆固化,检验

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FOL– Wire Bonding 引线焊接

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利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。

W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。

FOL– Wire Bonding 引线焊接

【Gold Wire】焊接金线

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实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接;

金线采用的是99.99%的高纯度金;

同时,出于成本考虑,目前有采用铜线和铝线工艺的。铜铝线优点是成本降低,同时工艺难度加大,良率降低;

线径决定可传导的电流;0.8mil,1.0mil,1.3mils,1.5mils和2.0mils;

FOL– Wire Bonding 引线焊接

Key Words:

Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点;

EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温,将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊点(Bond Ball);

Bond Ball:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点,一般为一个球形;

Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在Lead Frame上形成的焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形);

W/B四要素:压力(Force)、超声(USG Power)、时间(Time)、温度(Temperature);

FOL– Wire Bonding 引线焊接

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FOL– Wire Bonding 引线焊接

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FOL– Wire Bonding 引线焊接

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FOL–Optical Inspection 检查

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检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品

正常品

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Material Problem

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1st Bond Fail ( I )

Peeling

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1st Bond Fail (II)

Ball Lift

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1st Bond Fail ( III )

Neck Crack

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1st Bond Fail (IV)

Off Center Ball

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1st Bond Fail (V)

Smash Ball

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Bonding Weld Inspection

Weld Detection

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2nd Bond Fail ( II )

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Looping Fail(Wire Short I)

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Looping Fail(Wire Short II)

Loop Base Bend

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Looping Fail(Wire Short III)

Excessive Loop

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EOL– End of Line后段工艺

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EOL– Molding(注塑)

【Mold Compound】塑封料/环氧树脂

主要成分为:环氧树脂及各种添加剂(固化剂,改性剂,脱 模剂,染色剂,阻燃剂等);

主要功能为:在熔融状态下将Die和金丝等包裹起来,提供物理和电气保护,防止外界干扰;

存放条件:零下5°保存,常温下需回温24小时;

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EOL– Molding(注塑)

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为了防止外部环境的冲击,利用EMC把Wire Bonding完成后的产品封装起来的过程,并需要加热硬化。

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EOL– Molding(注塑)

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EMC(塑封料)为黑色/白色块状,低温存储,使用前需先回温。其特性为:在高温下先处于熔融状态,然后会逐渐硬化,最终成型。

Molding参数

Molding Temp:175~185°C;

Clamp Pressure:3000~4000N;

Transfer Pressure:1000~1500Psi;

Transfer Time:5~15s;Cure Time:60~120s;

EOL– Molding(注塑)

下压式注塑

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EOL– Molding(注塑)

常見之Molding 缺陷

充填不良 ( Incomplete Fill )

黏膜 ( Sticking )

氣孔 ( Void/Blister )

金線歪斜 ( Wire Sweep )

晶片座偏移 ( Pad Shift )

表面針孔 ( Rough Surface in Pin Hole)

流痕 ( Flow Mark )

溢膠 ( Resin Bleed )

EOL– Post Mold Cure(模后固化)

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用于Molding后塑封料的固化,保护产品内部结构,消除内部应力。

Cure Temp:175+/-5°C;Cure Time:4—8Hrs

EOL– Laser Mark(激光打字)

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EOL– Ball Attach 植球

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EOL– Ball Attach 植球

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EOL– Singulation

將整條CLAER 完畢之SUBSTRATE產品,切割成單顆的正式 BGA 產品

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EOL– Test 测试

根据测试程式检测产品的功能、元器件的连接情况等

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EOL– Final Visual Inspection(终检)

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Final Visual Inspection-FVI

在低倍放大镜下,对产品外观进行检查。主要针对EOL工艺可能产生的废品:例如Molding缺陷,切单缺陷和植球缺陷等;

EOL– Packing 包装

按照一定的批次数量等 装箱出货

审核编辑:彭静
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原文标题:BGA 封装工艺简介Introduction of BGA Assembly Process

文章出处:【微信号:半导体封装工程师之家,微信公众号:半导体封装工程师之家】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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