常用半导体元件模型总结
从应用角度对常用半导体元件模型作总结。
放大状态：发射结D正偏，集电结Dz反偏并处于反向击穿状态；
饱和状态：D和Dz均正偏，基极电流失去对集电极电流的控制作用，D处于稳定反向击穿状态；
截止状态：发射结正偏电压小于开启电压Uon
晶闸管（Thyristor）
触发电流Ig流入晶体管Q2基极，产生集电极电流Ic2 ,Ic2构成了Q1的基极电流，放大而成Q1集电极电流Ic1 ，Ic1又反馈至Q2基极，从而形成强烈正反馈，使Q1和Q2快速进入饱和状态，晶闸管导通。
3.绝缘栅双极晶体管（IGBT）
由NMOS管和PNP型三极管组成的达林顿结构，由MOSFET去驱动厚基区的PNP晶体管。Rn为晶体管基区内的调制电阻。
其为半导体元件基本单元，图中弹簧弹力，类似二极管门槛电压，A端相当于阳极，K端相当于阴极。
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审核编辑：汤梓红
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原文标题：常用半导体元件模型作总结
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