国产512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EMISerialSRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS威廉希尔官方网站
进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
SCLPSRAC1是一种串行静态随机存取存储器设备SRAM，存储器大小为512Kbit。位宽64Kx8位。采用先进的CMOS威廉希尔官方网站
，提供高速性能和低功耗。使用单一芯片选择（CSN）输入进行操作，并通过简单的串行SPl兼容接口进行访问。一条数据输入和数据输出线与一个时钟一起用于访问设备内的数据。包括一个HOLDN引脚，该引脚允许在不取消选择设备的情况下暂停与设备的通信。暂停时，除CSN引脚外的输入转换将被忽略。可在-40℃至+85℃（工业级）的温度范围内工作，并可采用节省空间的8引脚TSSOP封装。更多产品详情及样品测试联系英尚微电子。
功能框图
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
CMOS
+关注
关注
58文章
5710浏览量
235428 -
存储器
+关注
关注
38文章
7484浏览量
163774 -
接口
+关注
关注
33文章
8580浏览量
151038 -
sram
+关注
关注
6文章
767浏览量
114677
发布评论请先 登录
相关推荐
国产MCU有推荐吗?最好是经过市场验证的！
本帖最后由 网卡朋友 于 2024-9-26 16:50 编辑
在电子产品开发中，微控制器（MCU）是实现各种功能的核心部件。随着国内电子威廉希尔官方网站
的快速发展，越来越多的国产MCU开始崭露头角，并在
发表于 09-26 16:38
SRAM1/2/3可以使用LPDMA通过LPTIM触发ADC4搬运数据到SRAM4吗？
SRAM1/2/3 ，将LPDMA 接收数据buff配置为SRAM4，但是现在在正常模式就没有数据，也没有中断产生，请问有大佬在正常模式用到SRAM1/2/3 使用LPDMA 通过LPTIM触发ADC4搬运数据到
发表于 09-20 15:17
spi_flash_read在512K以上无法进行4M闪存怎么解决？
我有一个 ESP12。
读取低于 512k 的闪光灯是成功的，但高于 512k 的闪光灯不能成功。
我确认闪光灯是 4M，带有 esp_tool
esptool.py v1.2-dev
连接
发表于 07-19 11:59
请问如何使用片外SRAM？
Hi ， 在项目中，我们需要增加片外SRAM，型号是IS62WVS5128GALL 大小是512kb,请问你们是否支持此IC，能否提供驱动或者demo？
发表于 06-25 08:01
sram 512k实现softAP配网，wifi报错的原因？
采用的是安信可的模块，sram 512k
程序主要实现了softAP 配网，蓝牙gatt server和gatt client，及wifi tcp socket通信
一般运行12小时左右，就会持续
发表于 06-06 06:53
用MDK将UCOS+UCGUI下载到外部SRAM中调试慢怎么解决？
写数据。
@@触摸屏是使用STM32内部ADC采样触摸数据，同样使用了一个任务不停的对于UCGUI的GUI_TOUCH_Exec();）
外部SRAM：512K的IS61LV25616AL-10T
发表于 05-17 11:41
STM32H7使用DMA方式读取SD卡,DMA缓冲是否只能处于AXI SRAM？
除了512K的 AXI SRAM，还有没有其他的SRAM 区域能访问到？ 因为我想这整个512K 的AXI SRAM 做其他用途，变量都定义
发表于 04-18 06:00
Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM产品线
为满足客户对更大更快的SRAM的普遍需求，MicrochipTechnology（微芯科技公司）扩展了旗下串行SRAM产品线，容量最高可达4Mb，并将串行外设接口/
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线
Technology（微芯科技公司）扩展了旗下 串行 SRAM 产品线，容量最高可达4 Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI™）的速度提高到143 MHz
发表于 04-03 15:24
•1190次阅读
Microchip Technology扩展了旗下串行SRAM产品线，容量最高可达4Mb
为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）扩展了旗下串行SRAM产品线，容量最高可达4 Mb，并将串行外设接口/
SRAM CLA和SRAM有什么区别
每个SRAM单元的核心由两个CMOS反相器构成，这两个反相器相互连接，每个反相器的输出电位被用作另一个反相器的输入。这种结构使得每个SRAM单元都可以保存一个二进制位（0或1），直到它被新的数据覆盖。
工商网监
评论