1. 温度引起的特性变化<光强・波长・正向电压 (VF)>
LED特性根据周围温度及LED发热在内的芯片温度(Tj:发光部的结温)发生变化。
以下针对代表性的特性变化进行说明。
光强
LED的Tj上升,则光通量变少。
这是因为阻碍发光的电子和空穴再结合运动增加了。
波长
与光强变化相同,温度变化引起发光波长发生变化。
主要是温度变化引起半导体的禁带宽度发生变化,所以波长发生变化。
波长变化量因材料不同有差异,InGaAlP系LED随温度上升时,λd有0.1nm/°C的变动,向长波长侧变化。
针对波长规格严格的用途,需要探讨在整机的工作保证温度范围内波长的变化。
正向电压 (VF)
除特殊情况,VF的变化与发光波长相同,因半导体的禁带宽度变化而变化。
随着温度上升,VF会以2mV/°C的数值下降。
VF的变化在电路设计上是重要的要素。
LED恒流工作时,VF变化作为电路常数问题不大,但LED在恒压工作或接近恒压时,随温度上升VF下降,电流增加。
电流增加,则Tj变高,VF下降,直到达到平衡状态为止,电流会一直增加。
相反温度变低,则VF变高,电流减少,有可能恒压工作时得不到所需的光强。
2. 特性偏差
LED在制造阶段就具有特性值分布,即所谓的偏差。
因此对光强等级、电气特性规定了最小值等。
进行光学设计、电路设计时需要考虑偏差。
例如,VF随温度变化之前,在特定分布中已存在偏差。
当没有设计裕量时,针对VF偏差大的产品,需要探讨温度变化时是否能得到所需的特性。
根据电路特性、整机特性,有时需要将LED特性值的偏差幅度缩小。
此时,需要探讨引进特殊规格,及判断是否能对应此规格。
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