NETSOL串行MRAM产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序,因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。
STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP(就地执行)功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl(串行外围接口)是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
它比并行接口需要更少的引脚数,并且易于在系统上配置。该产品的密度范围从1Mbit到16Mbit。该设备可以取代闪存、FRAM或(nv)SRAM,具有相同的功能和非易失性。
SPIMRAM提供各种SPl模式,以允许带宽扩展选项。SPI模式具有用于命令信号的单个(1)引脚。用户可以在1个引脚、2个引脚或4个引脚中选择分配给地址和数据信号的引脚数。DSPI模式为命令、地址和数据信号提供双(2)引脚。QSPI模式为指令、地址和信号提供四(4)引脚。
NETSOLMRAM具有非易失性寄存器位-状态寄存器、配置寄存器、序列号寄存器、扩充256字节和用于扩充字节的保护寄存器。这些寄存器位需要在高温回流焊工艺后通电至少一次。采用小尺寸的8-WSON和8-SOIC封装。工作温度范围(0℃至70℃)和工业(-40℃至85℃)。官方代理英尚微电子支持提供样品测试。
Single/Dual/Quad IO SPI MRAM选型表
Density | Part Number | Interfaces | VDD(V) | Frequency(MHz) SDR/DDR | Temperature | Package |
---|---|---|---|---|---|---|
1Mbit | S3A1004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
1Mbit | S3A1004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
2Mbit | S3A2004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
2Mbit | S3A2004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
4Mbit | S3A4004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
4Mbit | S3A4004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
8Mbit | S3A8004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
8Mbit | S3A8004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
16Mbit | S3A1604V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
16Mbit | S3A1604R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
-
寄存器
+关注
关注
31文章
5342浏览量
120298 -
存储器
+关注
关注
38文章
7487浏览量
163808 -
SPI
+关注
关注
17文章
1706浏览量
91551 -
MRAM
+关注
关注
1文章
236浏览量
31719
发布评论请先 登录
相关推荐
探索存内计算—基于 SRAM 的存内计算与基于 MRAM 的存算一体的探究
![探索存内计算—基于 SRAM 的存内计算与基于 <b class='flag-5'>MRAM</b> 的存算一体的探究](https://file1.elecfans.com/web2/M00/E6/E2/wKgaomZFvUmAdDhcAAOm7CA4uuk723.png)
Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM产品线
![Microchip推出容量更大、速度更快的<b class='flag-5'>串行</b>SRAM<b class='flag-5'>产品</b>线](https://file.elecfans.com/web2/M00/4C/78/poYBAGKyxUaAVCbBAAAfziEvOio242.jpg)
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线
Microchip Technology扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4Mb
MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽车电子中的应用
![<b class='flag-5'>MRAM</b> HS4MANSQ1A-DS1在汽车电子中的应用](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/B4/wKgZomXektuADtdiAAAxItBglao320.png)
瑞萨电子宣布已开发具有快速读写操作的测试芯片MRAM
8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器74LVC595A产品数据表
![8位<b class='flag-5'>串行</b>输入/<b class='flag-5'>串行</b>输出或并行输出移位寄存器74LVC595A<b class='flag-5'>产品</b>数据表](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
MRAM特性优势和存储原理
![<b class='flag-5'>MRAM</b>特性优势和存储原理](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/0B/wKgaomXSzFqAY-WsAAAL7FwOk8o517.jpg)
台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片
杀手锏!台积电开发SOT-MRAM阵列芯片
台积电和ITRI成功研发SOT-MRAM,功耗仅为STT-MRAM的百分之一
MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别
![<b class='flag-5'>MRAM</b>(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BB/B0/wKgZomWc6A2Aex2MAAAtdO-eCVY797.png)
深入探索MRAM的原理与威廉希尔官方网站
![深入探索<b class='flag-5'>MRAM</b>的原理与威廉希尔官方网站](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BC/90/wKgaomWcuzSAHp0oAAAL7FwOk8o144.jpg)
创纪录的SOT-MRAM有望成为替代SRAM的候选者
![创纪录的SOT-<b class='flag-5'>MRAM</b>有望成为替代SRAM的候选者](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BB/11/wKgZomWXfEuAFHbEAAApJh-N_fU024.png)
评论