MRAM是一种新型的非易失性存储器威廉希尔官方网站 ,与传统的存储器威廉希尔官方网站 相比,MRAM 具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。已经被广泛应用于汽车电子、工业自动化、智能电气电表、物联网等领域。在 PLC (Programmable Logic Controller) 中,MRAM 可以用于存储程序、数据、寄存器和状态信息等。此外,MRAM 还可以提高 PLC 的运行效率,减少故障率,并降低能耗。由于 PLC 被广泛应用于工业控制领域,因此可靠性和耐久性非常重要。MRAM 的非易失性和高可靠性使它成为一种非常适合用于 PLC 的存储器威廉希尔官方网站 。
高可靠性
在PLC产品中,稳定性和可靠性是非常重要的特性。由于MRAM芯片不需要电源来保持存储,因此具有非常高的可靠性。即使在突然断电或其他异常情况下,MRAM芯片也能够保持数据的完整性,从而有效地防止数据丢失和系统崩溃。
快速读写
在PLC产品中,需要快速地读取和写入数据以控制机器和设备。相比传统存储器威廉希尔官方网站 ,MRAM芯片具有更快的读写速度,可以更快地响应控制信号,提高生产效率和工作效率。
与其他威廉希尔官方网站 相比,韩国NETSOL品牌的 MRAM威廉希尔官方网站 具有以下优势:
更快的写入速度:MRAM芯片比FRAM芯片具有更快的写入速度。MRAM芯片可以实现单个字节的写入,而FRAM芯片则需要写入整个数据块。这使得MRAM芯片在存储大量数据时更加高效。
更低的功耗:MRAM芯片比FRAM芯片具有更低的功耗。MRAM芯片的写入操作只需要很少的电流,而FRAM芯片则需要更多的电流。这使得MRAM芯片在移动设备和其他低功耗设备中更加适用。
更高的可靠性:MRAM芯片比FRAM芯片具有更高的可靠性。MRAM芯片具有更长的数据保存时间和更大的存储容量,这使得它们更适用于长期存储。
更大的存储容量:MRAM芯片比FRAM芯片具有更大的存储容量。MRAM芯片的存储密度比FRAM芯片高,这使得它们可以存储更多的数据。
MRAM使用OTA (Over The Air)比NOR更快的写入速度,不需要额外的RAM。MRAM更长的写入耐力意味着它比NOR持续时间更长。MRAM提供1字节访问,以有效利用存储区域。例如,32Mb的NOR将被16Mb的MRAM取代。
MRAM无需备用电池、电池插座、超级电容或Vcc监控电路。流线型的设计和简单的SMT工艺导致质量成本远远低于SRAM。MRAM的电池保留时间为10年,而SRAM的电池寿命为7年。
MRAM不需要超级电容器,节省电路板面积,减少元件。MRAM可快速开机可快速系统恢复。
MRAM芯片是一种非挥发性存储器,可以永久保存数据,即使断电也不会丢失数据。而DRAM芯片是一种挥发性存储器,需要电源持续供电才能保持数据长电池寿命,从而减少维护成本。
数据保存时间长
MRAM芯片的存储介质是磁性材料,与EEPROM和Flash相比,它的数据保存时间更长,更不易受到外界干扰。
存储容量大
MRAM芯片可以实现大容量存储,与传统存储器件相比,可以实现更高的集成度和更小的尺寸。由于MRAM芯片的存储过程不需要耗费能量,因此MRAM芯片具有低功耗的特点。这不仅有助于减少系统的整体功耗,还有助于延长电池寿命,从而减少维护成本。
韩国Netsol MRAM存储芯片,凭借高续航、快速访问和长保留期特性,一颗MRAM芯片替换“工作内存”(典型的SRAM或DRAM)和“代码存储”(典型的NOR、Flash或E2PROM)二合一的解决方案。使其在工业控制领域中越来越受到欢迎。随着MRAM威廉希尔官方网站 的不断发展和完善,它在PLC产品中的应用将有望得到更广泛的推广和应用。
选型列表
由于STT-MRAM的非易失性、几乎无限的持久性和快速写入特性,NETSOL串行/并行MRAM产品非常适合必须快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序。它们适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器,可以取代Flash、FeRAM或nvSRAM,具有相同的功能和非易失性。
#串行STT-MRAM
1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb密度
电源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)
数据保留:10年
读取耐力:无限
写入耐力:1014
不需要外部ECC
封装规格: 8WSON, 8SOP
容量 |
型号 |
电压(V) |
1M bit | S3A1004V0M | 2.70~3.60 |
S3A1004R0M | 1.71~1.98 | |
1Mbit | S3A2004V0M | 2.70~3.60 |
S3A2004R0M | 1.71~1.98 | |
4M bit | S3A4004V0M | 2.70~3.60 |
S3A4004R0M | 1.71~1.98 | |
8M bit | S3A8004V0M | 2.70~3.60 |
S3A8004R0M | 1.71~1.98 | |
16M bit | S3A1604V0M | 2.70~3.60 |
S3A1604R0M | 1.71~1.98 | |
32M bit | S3A3204V0M | 2.70~3.60 |
S3A3204R0M | 1.71~1.98 |
#并行STT-MRAM
1Mb,2Mb, 4Mb, 8Mb,16Mb,32Mb,64Mb密度
电源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)
并行异步接口x16/x8 I/O
高性能页面读写功能
数据保留:10年
读取耐力:无限
写入耐力:1014
不需要外部ECC
封装规格:48FBGA, 44TSOP2, 54TSOP2
审核编辑:汤梓红
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