半桥电路上下桥臂的死区时间定为190nS,这个时间和LLC电路功率管的ZVS工作状态,功率管驱动的可靠性密切相关,同时也影响谐振电流大小和模块整机效率 。对于LLC电路,我们将额定工作点设置在谐振点附近,通过实现功率管的ZVS开通和输出二极管的零反向恢复来实现模块的高效率。为了满足ZVS条件,死区时间必须满足:
其中:
输入母线电压,
:功率管漏源极间电容,
为励磁电流。
而输出电压和变压器匝比确定时,励磁电流的大小由谐振频率和励磁电感决定:
Tr为谐振周期,因此我们可以得出LLC对称半桥上下管死区时间和励磁电感,谐振频率的关系:
LLC的参数设计过程中,如果增大励磁电感Lm,可以减少功率管的关断电流,从而减少其关断损耗,如果不考虑桥臂的死区时间,我们认为模块流过谐振电感和变压器原边的谐振都是减少的。但是如果考虑死区时间对功率管和输出二极管有效导通时间的影响,当死区时间td增大时,有效的占空比会减少,在输出负载相同的情况下,流过输出二极管的电流和谐振电感和变压器传能部分的电流
将增大,所以励磁电流和传能电流
是矛盾的,其有效值近似为:
图9 死区影响和励磁电流,谐振电流示意图
当LLC电路的谐振参数确定时,励磁电流就确定了,在满足公式1的情况下,考虑上下管的驱动特性偏差和驱动电路的延时偏差,保证功率管可靠性的前提下,我们应该尽可能减少死区时间。对于具体参数的模块:
其中
取20N60C3漏源电压VDS为50~200VDC时的近似值(150nF)和旁边并联电容220nF的和。从计算的结果看现在的死区时间190nS裕量很大,可以适当的减少,当190nS的死区时间时,54V/1000W,通过计算可得到谐振电流为:
而当死区时间改为120nS时, 谐振电流为6.528A
以80℃结温计算,两个功率管的损耗相差:
变压器的原副边电流,以及流过输出二极管的电流没找到合适的公式计算,但是通过仿真可以得到两个死区时间190nS和120nS时,变压器原边电流分别为5.6728A和5.6486A,变压器副边电流分别为:20.8A和20.7A,损耗相差很少,另外死区时间减少对功率管反向恢复电流也会有改善。
所以从计算结果看,死区时间由190nS减少到120nS对效率的改善比较小,约减少1W损耗,实际效果由测试结果进行验证。
当死区时间为190nS,测试模块的输出电压48~58V,负载在大于150W时,模块都工作ZVS状态,42V时要大于200W以上才可能实现ZVS如下图所示(在调频状态,上下管的ZVS状态近似)
图10 54V/100W上管导通
图11 54V/150W上管导通
如果死区改成120nS,测试到的上管开通波形如下图所示,功率要大于200W才能完全实现ZVS开通
图12 54V/100W上管导通
图13 54V/200W上管导通
从测试的结果看,死区时间从190nS减少到120nS,模块实现ZVS会有影响,轻载200W以下功率管的关断电压会高,功率管漏源极的电压拖尾,无法完全关断,在驱动上可以测试到一个电压平台。
我们对死区改动前后模块效率进行对比,测试到的结果如下表。
表2 死区190nS效率测试结果
输入功率(W) | 输出电压(V) | 输出电流(A) | 输出功率(W) | 效率(%) |
1098.7 | 53.379 | 19.0428 | 1016.486 | 0.925171 |
983 | 53.397 | 17.0792 | 911.978 | 0.92775 |
871.2 | 53.417 | 15.1356 | 808.4983 | 0.928028 |
762.8 | 53.44 | 13.2428 | 707.6952 | 0.92776 |
650 | 53.461 | 11.2892 | 603.5319 | 0.928511 |
543.7 | 53.481 | 9.4072 | 503.1065 | 0.925338 |
437.9 | 53.501 | 7.5356 | 403.1621 | 0.920672 |
329.1 | 53.521 | 5.5704 | 298.1334 | 0.905905 |
225.4 | 53.543 | 3.7168 | 199.0086 | 0.882913 |
119 | 53.56 | 1.8076 | 96.81506 | 0.813572 |
11.2 | 53.579 | 0 | 0 | 0 |
表3 死区120nS效率测试结果
输入功率(W) | 输出电压(V) | 输出电流(A) | 输出功率(W) | 效率(%) |
1087 | 53.371 | 18.87 | 1007.111 | 0.926505 |
985 | 53.387 | 17.1404 | 915.0745 | 0.92901 |
871.8 | 53.412 | 15.1848 | 811.0505 | 0.930317 |
762.2 | 53.428 | 13.2768 | 709.3529 | 0.930665 |
649.9 | 53.448 | 11.3088 | 604.4327 | 0.93004 |
543.5 | 53.47 | 9.4244 | 503.9227 | 0.927181 |
433.7 | 53.49 | 7.4704 | 399.5917 | 0.921355 |
328.5 | 53.512 | 5.5824 | 298.7254 | 0.909362 |
224.6 | 53.532 | 3.7132 | 198.775 | 0.885018 |
123.16 | 53.551 | 1.8884 | 101.1257 | 0.821092 |
10.99 | 53.566 | 0 | 0 | 0 |
图14 死区优化效率对比
从测试的结果看,死区减少到120nS,模块的效率约提高了0.1%~0.15%,这和计算的结果是吻合的。
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