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晶体三极管的基础知识

CHANBAEK 来源:IOput 作者:IOput 2023-03-17 16:00 次阅读

晶体三极管

一、晶体管的结构和符号

wKgZomQUHUGALcayAABh2t4xFi8852.jpg

为什么有孔?

便于安装散热器

晶体管有三个极、三个区、两个PN结。

wKgZomQUHUGAXSWLAABvK3lqe0U990.jpg

二、晶体管的放大原理

wKgaomQUHUGAa_fGAACBfMvMUyo005.jpg

加入VBB,使得形成正向电流; 加入Vcc,使得集电极反偏,Vcc画成两节,目的是表明Vcc比VBB来的高,即C点的电位比B点电位高

wKgaomQUHUGAWwVAAADhDwIEAM8263.jpg

扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC

电流分配: IE=IB+IC

IE-扩散运动形成的电流

IB-复合运动形成的电流

IC-漂移运动形成的电流

wKgZomQUHUGAAfz6AAA3p45-YBo862.jpg

wKgaomQUHUGAIiWPAAB3oD4XpYU516.jpg

为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?

发射结正偏,集电结反偏,即使基极开路,c、e件有电流通过

三、晶体管的共射输入特性和输出特性

输入特性

wKgZomQUHUGADvoTAACR9ySsl-E676.jpg

CE=0 即相当于两个PN结并联,所以像PN结的伏安特性;

UCE增大时,集电结要收集一部分电子,所以UBE要增大,使发射级发射更多的电子以达到相同的电流;

当UCE增大到一定程度时,可以有能力将大部分电子都拉到集电极时,除去基级复合的电子,到达集电极的电子数目已经达到极限,所以右移就不明显。

对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。

输出特性

wKgZomQUHUGAfBqWAADHp837z8M962.jpg

因为电子量有限,uCE再次增大,电流近似恒流

β是常数吗? 什么是理想晶体管? 什么情况下β=β' ?

β不是常数,当IC特别小或特别大时,β会减小;

没有穿透电流,β处处相等;

理想晶体管时β=β'。

晶体管的三个工作区域

wKgaomQUHUGAJugGAACH2ufGV1g411.jpg

晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。

四、温度对晶体管特性的影响

wKgZomQUHUGABBSzAABqjSb16IM027.jpg

五、主要参数

直流参数:

wKgaomQUHUGAUIoOAAA5e87hTl8144.jpg

交流参数:

wKgZomQUHUGAaNpMAAA4MBzxYYI889.jpg

fT为特征频率,使得晶体管失去放大作用的频率

极限参数:

wKgaomQUHUGALeEjAACArfNAaiY472.jpg

例:由图示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、β。

wKgaomQUHUGAPAsqAABwgWjtQn8956.jpg

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