用于3.5GHz WLL收发器的射频IC

本文提供了用于无线本地环路（WLL）收发器的3.5GHzRF IC框图。MAX2645硅锗低噪声放大器（LNA）从数字逻辑提供25dB增益阶跃。MAX2684将从1GHz上变频，下变频至1GHz IF。MAX2620为压控振荡器（VCO），具有两路缓冲输出。VCO缓冲放大器MAX2472和MAX2473保持高隔离度，谐波保持在-25dBc。

MAX2645：3.4GHz至3.8GHz SiGe低噪声放大器/PA预驱动器/VCO缓冲器

MAX2645为多功能、低噪声、高线性度放大器，设计用于3.4GHz至3.8GHz无线本地环路（WLL）、无线宽带接入和数字微波无线电应用。RF IC具有外部可调偏置控制功能，可通过单个电阻器进行设置，使用户能够满足最低线性度要求，同时最大限度地降低电流消耗。RF IC具有高增益、低噪声性能和可调输入三阶交调截点（IIP3），可用作接收路径中的极低噪声放大器（LNA）、接收路径中的高IP3放大器、发射路径中的PA预驱动器或LO缓冲器。

MAX2645 RF IC具有逻辑电平增益控制，增益阶跃降低25dB，提高了IP3性能，适合在高输入信号电平条件下工作。电源电流从高增益模式下的9mA减小到低增益模式下的3mA。LNA 还具有逻辑控制关断模式，可将电源电流减小至 0.1μA 以下。

MAX2683/MAX2684：3.5GHz下变频器和上变频器，可选LO倍频器

MAX2683/MAX2684为超高性能、低成本RF IC，适用于3.4GHz至3.8GHz频段的无线本地环路（WLL）和数字微波无线电（DMR）应用。MAX2683优化用于下变频至100MHz至400MHz的IF频率，允许高边和低边本振（LO）注入。MAX2684针对800MHz至1000MHz的IF频率进行了优化，允许低侧LO注入。逻辑电平控制可在两个器件上启用内部倍频器，允许外部LO源以全频或半频运行。内部LO滤波器可降低LO谐波和杂散混频。

MAX2683/MAX2684 RF IC具有外部可调偏置控制，由单个电阻设置，允许用户以电源电流换取线性度，以优化系统性能。这些RF IC采用双平衡吉尔伯特单元架构，具有单端RF和LO输入以及差分集电极开路IF输出端口。差分IF端口为单端或差分应用提供宽带、灵活的接口。

MAX2683/MAX2684射频IC采用+2.7V至+5.5V单电源供电。RF IC 采用 16 引脚 TSSOP-EP 封装，带有裸露焊盘，可在 3.5GHz 频率下实现最佳性能。

MAX2680/MAX2681/MAX2682/MAX2690：400MHz至2.5GHz、低噪声硅锗（SiGe）下变频器

MAX2680/MAX2681/MAX2682/MAX2690微型、低成本、低噪声下变频器设计用于低电压工作，理想用于便携式通信设备。RF输入端口的信号与本振（LO）端口的信号使用双平衡混频器混合。这些下变频混频器的工作RF输入频率在400MHz至2500MHz之间，下变频至10MHz至500MHz之间的IF输出频率。

MAX2680/MAX2681/MAX2682射频IC采用+2.7V至+5.5V单电源供电，可直接由3节镍镉电池组或单节锂离子电池供电。这些RF IC提供宽范围的电源电流和输入交调截点（IIP3）电平，以优化系统性能。此外，每个器件均具有低功耗关断模式，在该模式下，其电源电流通常小于 0.1μA。请参考MAX2680/MAX2681/MAX2682数据资料，了解IIP3和电源电流性能。

MAX2680/MAX2681/MAX2682射频IC采用高频、低噪声、先进的硅锗工艺制造，采用节省空间的6引脚SOT23封装。

MAX2690具有差分IF端口，具有良好的线性度和低LO辐射，并兼容使用差分IF滤波器的应用，如CDMA手机。10MHz时混频器噪声系数为900dB。

MAX2690在V时吸收16mA电流抄送= 3V，工作在+2.7V至+5.5V电源。逻辑控制的关断模式可将电源电流减小至 1μA 以下，因而非常适合电池供电设备。该器件采用微型 10 引脚 μMAX 封装。

MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673：400MHz至2.5GHz上变频器

MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673微型、低成本、低噪声上变频器设计用于低电压工作，非常适合用于便携式消费类设备。IF输入端口的信号与使用双平衡混频器的本地振荡器（LO）端口的信号混合。这些上变频器的工作在40MHz至500MHz之间的IF输入频率，并上变频至高达2.5GHz的输出频率。

这些RF IC提供宽范围的电源电流和输出交调截点电平，以优化系统性能。电源电流在指定的电源电压范围内基本恒定。此外，每个器件均具有低功耗抑制模式，在该模式下，电源电流降至 1mA 以下。

MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671射频IC采用节省空间的6引脚SOT23封装。对于需要平衡IF端口的应用，选择采用2673引脚μMAX封装的MAX8。

MAX2620：10MHz至1050MHz VCO，带缓冲输出

MAX2620 VCO将低噪声振荡器和两个输出缓冲器集成在低成本、塑料表面贴装、超小尺寸μMAX封装中。该器件集成了通常由分立元件实现的功能。当振荡器与外部变容二极管调谐振电路正确配接时，振荡器表现出低相位噪声。提供两个缓冲输出，用于驱动混频器或预分频器。缓冲器为振荡器提供负载隔离，并防止由于负载阻抗变化而导致的频率牵引。工作模式下的功耗通常仅为 27mW （V抄送= 3.0V），待机模式下降至0.3μW以下。MAX2620采用+2.7V至+5.25V单电源供电。

MAX2622/MAX2623/MAX2624：单芯片压控振荡器

MAX2622/MAX2623/MAX2624独立式压控振荡器（VCO）集成振荡器和输出缓冲器，采用微型8引脚μMAX封装。

谐振电路的电感和变容二极管元件集成在片上，大大简化了器件的应用。此外，振荡的中心频率和频率跨度在工厂是预先设置的，以提供相对于控制电压的保证频率范围。外部调谐电压控制振荡频率。输出信号由放大器级缓冲（仅使用电容器即可轻松匹配至50Ω），以提供更高的输出功率，并将器件与负载阻抗变化隔离开来。

MAX2622/MAX2623/MAX2624工作在+2.7V至+3.3V电源电压，仅需9mA电源电流。在停机模式下，电源电流减小至 0.1μA。

MAX2472/MAX2473：500MHz至2500MHzVCO缓冲放大器

MAX2472/MAX2473 RF IC为灵活的宽带、高反向隔离缓冲放大器。MAX2472具有双路集电极开路输出，能够向5Ω提供-50dBm，同时将谐波抑制保持在-25dBc以下。MAX2473具有单路集电极开路输出，带有偏置控制引脚，可在-10dBm至-2dBm范围内改变输出功率，同时将谐波抑制保持在-25dBc以下。MAX2472/MAX2473具有高反向隔离和低电源电流特性，非常适合要求高性能和低功耗的应用。RF IC具有高输入阻抗和集电极开路输出，可实现最大的灵活性，使其能够与各种振荡器拓扑一起使用。

MAX2472和MAX2473 RF IC均采用+2.7V至+5.5V单电源供电。与 Vcc= +3.0V和-25dBm输入功率，MAX2472功耗为5.2mA，而MAX2473仅消耗2.7mA电流。两款RF IC均采用纤巧型6引脚SOT23封装，所需电路板空间极小。

审核编辑：郭婷