EN系列：保持低导通电阻与开关速度，改善噪声性能

超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。

低噪声 EN系列

以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。

EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻更低，因而是改善平面MOSFET的传导损耗的替代品。A・Ron的比较中，与平面MOSFET相比，以往产品AN系列降低65%，EN系列则降低达80%。

该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。

■R60xxENx系列：低噪声

.tbl_wrap th { font-size: 12px!important; background: #eee; } .tbl_wrap td { font-size: 12px!important; text-align: center; }

※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。

D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252

※ ☆ : 开发中

审核编辑：汤梓红