单电源排序器对负电压进行排序

以下应用笔记讨论如何使用MAX6819/MAX6820电源排序器对正负电源进行排序。

将多个数字和interwetten与威廉的赔率体系 功能组合到单个芯片中的高度集成的系统芯片通常需要多个电源。电源排序不当会导致器件闩锁、器件启动不正确或长期可靠性下降。MAX6819/MAX6820为两个或多个电源的排序提供了一种简单、可靠、紧凑的方式。

遗憾的是，MAX6819/MAX6820为单电源器件，无法对低于器件地电位的电压进行排序。MAX6819/MAX6820使用外部N沟道MOSFET在电路之间切换次级电源。MOSFET 栅极驱动，栅极，摆动在 V 之间FCW+ 5.5V 和 GND，因此，在负电源电压下，MOSFET 无法关闭。图1所示为MAX6819/MAX6820在±5V电源电路中采用的示例。

当主电源 （VCC1） 低于切换门限时，栅极被驱动至 GND。 7.5V 齐纳二极管 （D1） 不导通，允许电阻 R1 将 MOSFET 的栅极拉至负电源。这导致VGS = 0，禁用MOSFET。一旦VCC1超过切换门限，GATE就会驱动高电平。VCC1 = VCC2 = +5V时，VGATE（高电平） = +10.5V。当D1两端的压降为7.5V时，VG = +3V，提供VGS = +8V。 选择7.5V齐纳二极管是因为它提供8V栅极驱动，足以将MOSFET上的IR压降降至最低。通过选择较低电压齐纳二极管可以进一步降低RON，但要注意栅极电流。尺寸为R1，使得产生的VGS不会导致栅极电流消耗大于5μA。较大的负载将降低VGATE（HIGH），从而降低器件完全增强MOSFET的能力。

审核编辑：郭婷