MOSFET驱动器具有电池反接保护

MOSFET 电源开关驱动器必须受到电池反接连接保护。小型整流二极管可以防止电池反接，但对于电池寿命至关重要的系统，这种方法通常是不可接受的。对于6V电池，二极管的正向压降（典型值为0.6V至0.7V）会产生约10%的恒定功率损耗，该损耗随着电池电压的降低而增加。图中显示了对单二极管保护的改进。

MOSFET 电源开关驱动器必须受到电池反接连接保护。小型整流二极管可以防止电池反接，但对于电池寿命至关重要的系统，这种方法通常是不可接受的。对于6V电池，二极管的正向压降（典型值为0.6V至0.7V）会产生约10%的恒定功率损耗，该损耗随着电池电压的降低而增加。

图1显示了对单二极管保护的改进。一个p沟道MOSFET （Q1）可保护驱动器（U1）免受电池反接插入的影响。Q1 的 10mΩ 或更低低导通电阻可产生仅几毫伏的正向压降（而二极管则为数百毫伏）。因此，用MOSFET代替二极管可立即提高效率。

图1.一个外部 p 沟道 MOSFET （Q1） 可轻松保护该 MOSFET 驱动器 （U1） 免受电池反接和负载电流反接的影响。

将电池正电压连接到Q1漏极时，其体二极管中产生正向偏置，使源极电压比漏极电压低一个二极管。当源电压超过Q1的阈值电压时，Q1导通。FET导通后，电池将完全连接到系统，并可为U1和负载供电。

错误插入的电池会使体二极管反向偏置。电源保持地电位，栅极接地，因此Q1保持关断状态，断开反接电池与系统的连接。当您向后插入电池时，VDS 等于电池全负电压，在某些应用中，Q1 可能必须承受电池电压的许多倍的瞬态水平。Q1必须能够承受V一般事务人员和 VDS电压至少等于最大电池电压。

除了电池反接保护外，图1电路还可防止启动时的反向负载电流。Q3 确保在 U1 使能两个 n 沟道 MOSFET（Q2 和 Q3）之前没有负载电流流动。反向负载电流可能导致Q1意外导通，使电路不受电池反接保护。

审核编辑：郭婷