一、Data Flash用途介绍
RL78系列的MCU基本都是有数据闪存的,这也是RL78 MCU的特色之一,用户能使用它存储产品的标定参数,运行数据等,可以省去外面的存储器件(如EEPROM),有效的降低了用户的硬件成本。
二、Data Flash特点
用户能基于瑞萨官方提供的库来使用MCU内部的数据闪存,虽然MCU内部的闪存仍以1K字节块作为单位,但是用户可以按照字节进行读写。RL78资源的不同,对应的内部数据闪存的大小也不尽相同,一般大小在2K-8K字节范围之间,就单个地址,当前读写次数能达到1,000,000次,可在1.8-5.5伏电压范围内进行操作。
三、Data Flash使用说明
1
Data Flash应用库的下载:
如果你用的是CC-RL编译器,请在如下地址下载应用库和API应用文档:
JP_R_FDL_RL78_T04_V1.05_CCRL_A_E.zip
https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-cc-rl-compiler-rl78-family?language=en
如果你用的是CA78K0R编译器,请在如下地址下载应用库和API应用文档:
JP_R_FDL_RL78_T04_V1.05_B_E.zip
https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-ca78k0r-compiler-rl78-family
2
避开MCU内部RAM相关区域:
根据MCU的硬件手册和《Self RAM list of Flash Self-Programming Library for RL78 Family》规定,有些MCU的RAM部分区域不能被数据库使用,因此需要在section设置进行避开,否则编译会出错,不同MCU要求也不尽相同,以R5F100LE为例,闪存库仅能使用RAM FFE00H ~ FF2FFH以外的区域,如下。
如下是基于R5F100LE在CS+上的具体section配置,以避开相应的区域,其他型号的MCU也可参考。
四、Data Flash测试结果
把RL78闪存库加载到应用工程里,然后调用初始化和读写函数进行数据的操作,当前使用RL78G13硬件板型号是“YRPBRL78G13”。然后在R5F100LE Data Flash的起始地址连续写一串数据“0x11,0x22,0x33, … 0xCC,并把它们读出出来,数据定义以及应用代码如下:
unsigned char Execute_status;
unsigned char W_DataFla_buff[3] = {0x11,0x22,0x33};
unsigned char W_DataFla_buff1[3] = {0x44,0x55,0x66};
unsigned char W_DataFla_buff2[3] = {0x77,0x88,0x99};
unsigned char W_DataFla_buff3[3] = {0xAA,0xBB,0xCC};
unsigned char R_DataFla_buff[12];
unsigned long int address=0x00;
R_FDL_Init();
Execute_status = R_FDL_BlankCheck(0x00,1024);
if (Execute_status == 0x1b)
{
R_FDL_Erase(0x00);
}
R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff[0],3);
address+=3;
R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff1[0],3);
address+=3;
R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff2[0],3);
address+=3;
R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff3[0],3);
address+=3;
Execute_status = R_FDL_Iverify(0x00,1024);
if (Execute_status == 0x1b)
{
return;
}
R_FDL_Read(0x00,&R_DataFla_buff[0],12);
PFDL_Close();
代码在硬件板“YRPBRL78G13”上运行测试结果如下,执行正确。
1
END
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