0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOS管被击穿的原因及解决方案?

qq876811522 来源:面包板社区 2022-12-21 16:10 次阅读

一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

4bdb821c-8106-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

静电击穿一般分为两种类型:

一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路; 二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。

二、MOS管被击穿的原因及解决方案?

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C),将管子损坏。 虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。 第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。还有,由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件的输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

三、MOS栅源(G-S)极下拉电阻有什么作用?

MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通,外部干扰信号对G-S结电容充电,这个微小的电荷可以储存很长时间。

4c0a2748-8106-11ed-8abf-dac502259ad0.png

在试验中G悬空很危险,很多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路干扰信号就不会直通了,一般可以10~20K。这个电阻称为栅极电阻。 作用1:为场效应管提供偏置电压; 作用2:起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。

4c18f426-8106-11ed-8abf-dac502259ad0.gif

第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理。保护栅极G~源极S,场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极。这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。

编辑:黄飞

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 场效应管
    +关注

    关注

    46

    文章

    1093

    浏览量

    63164
  • MOS管
    +关注

    关注

    107

    文章

    2255

    浏览量

    65261

原文标题:MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?

文章出处:【微信号:汽车半导体情报局,微信公众号:汽车半导体情报局】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    电子元件分析:MOS击穿原因

    MOS击穿原因解决方案,电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说:电子产品
    发表于 03-26 16:25 8650次阅读

    MOS输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?

    或者是源极开路。 二、MOS击穿原因解决方案? 第一、
    发表于 06-21 13:40

    浅谈mos击穿原因

    本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 编辑 MOS击穿原因解决方
    发表于 07-14 15:34

    MOS为什么会被静电击穿

    焊性变差。MOS击穿原因解决方案第一、MOS
    发表于 06-01 15:59

    MOS为什么会被静电击穿

    好习惯。至少使管脚可焊性变差。  MOS击穿原因解决方案  第一、
    发表于 08-22 10:31

    挖掘MOS击穿原因解决方案

    `<p> 挖掘mos击穿原因解决方案  一、
    发表于 11-05 14:26

    分析如何判定MOS击穿烧坏的详情

    ,不可的话考虑MOS  MOS击穿原因解决方案
    发表于 12-10 15:04

    MOS击穿烧坏的判断

    三极,不可的话考虑MOS  MOS击穿原因
    发表于 05-30 00:34

    无刷直流电机正转突然进行反转MOS击穿,这是什么原因造成的?

    导通给电机加电。请问各位大神,这是什么原因造成的?查了资料,有说是因为正转突然反转会使得直流母线电压升高,超过了MOS继电器开关的耐压值,MOS
    发表于 06-28 10:18

    静电为什么能击穿MOS?如何应对?

    不出高压。与干燥的北方不同,南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。  MOS击穿
    发表于 05-14 10:22

    MOS静电击穿原因分析

    MOS一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿
    发表于 06-02 11:01 3000次阅读

    MOS击穿解决方案

    mos是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS
    发表于 11-23 17:37 6920次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>被</b><b class='flag-5'>击穿</b>的<b class='flag-5'>解决方案</b>

    MOS静电击穿,如何寻找安全感?

    电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路; 二是功率型,即金属化薄膜铝条熔断,造成栅极开路或者是源极开路。 现在的mos没有那么容易
    发表于 12-10 11:36 1次下载

    MOS击穿原因解决方案

    MOS为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS
    的头像 发表于 05-20 17:21 3.5w次阅读

    MOS击穿原因解决方案

    双极型晶体把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体,叫做场效应(FET),把输入电压的变化转
    发表于 06-05 14:36 1776次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>被</b><b class='flag-5'>击穿</b>的<b class='flag-5'>原因</b>及<b class='flag-5'>解决方案</b>