UnitedSiC 精选博客文章，助您解决电源设计难题

2021年11月，Qorvo收购领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。对 UnitedSiC 的收购，使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。本文汇总了一系列高质量博客，帮助您克服设计挑战，让您在下一次电源设计中充分发挥 SiC 器件的潜力。以下为博客摘要，长按识别图片二维码可深入了解详情。

01

打造理想半导体开关所面临的挑战

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自 1958 年 IBM 设计出首个管状“开关模式电源”以来，打造无传导和开关损耗的理想开关一直是电源转换器设计者的梦想。如今，各项开关威廉希尔官方网站 的通态损耗都有了明显降低；采用最新的宽带隙半导体的产品，在 750V 额定电压下的电阻已能达到小于 6 毫欧的水平。目前这项威廉希尔官方网站 还未达到其物理极限，预计在不久的将来，该阻值还会进一步降低。

02

从SiC FET中榨取性能

“性能”是一个很主观的词，它可以有各种不同的衡量方式。不过，在电源转换这一语境下，性能主要归结为两个互为相关的值：效率和成本。众所周知，硅作为一种半导体开关材料，在传导和动态损耗方面都已接近其性能极限。于是，性能更佳的碳化硅和氮化镓宽带隙威廉希尔官方网站 越来越多地进入了人们的考量范围。

03

更丰富的SiC FET选择，带来更灵活的经济高效解决方案

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人生在于取舍，有时，这种取舍往往会让我们难以定夺。涉及到金钱时，这种取舍又会出现一个新的维度——如果我购买一辆电动汽车，能收回额外的成本吗？要多久收回？减少二氧化碳排放的价值在哪里？哪款车型的二手价值最高？其中的决定因素或许颇为主观，且在不断变化。不过，若要为电动汽车电源转换器选择半导体，你或许会希望用更科学的方法来判断。

04

SiC FET导通电阻随温度的变化–对比方法亦有门道

比较不同 SiC 开关的数据表是一件难事——SiC MOSFET 可能具有较低的导通电阻温度系数，但这也同时表明，其相比于 UnitedSiC FET 的损耗更高，且整体效率不足。

05

使用共源共栅拓扑消除半导体开关中的米勒效应

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任何东西都打破不了物理定律。电阻器会将电能转为热能耗散，同时降低电压；电容器需要时间来储存和释放电荷；电感器需要时间来产生和消除电磁场。SiC 共源共栅拓扑能够解决米勒电容问题，同时轻松实现栅极驱动、常关运行和高性能体二极管。

Qorvo收购

https://www.qorvo.com/newsroom/news/2021/qorvo-acquires-unitedsic-leading-provider-of-silicon-carbide-power-semiconductors