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TLSR9在手册上写是多模的,我这里的应用主要是BLE的设备,现在做一下BLE测试笔记,官网提供了BLE的测试Demo,自行下载即可,用Telink_RDS打开工程。
下载了BLE demo 里面有几个实例,使用BLE_Sample,设置为Active进行测试。编译后下载。
这里看一下官方提供了几个应用实例,直接拿来就可以用的
使用这款芯片如果应用与蓝牙鼠标键盘或者语音控制器的产品上,应该直接改改就可以实现功能了。
下面是下载后测试。
使用手机连接eSample后,板子红色LED亮起。
这里评论一下,首先我没有找官方FAE进行任何支持,只是自己一点一点学习,Telink官方的demo代码整洁度还是ok的,相比其他国内的蓝牙芯片来说,我个人认为还是好一点,其次Telink的demo 批注少且没有什么用处的。自学猜测有一定基础的人还是可以明白的。以后如果有项目用的话在深入学习一下吧。
复制代码
附带一下main函数的demo。Telink的代码基本都是这个风格,看着还是很简洁的。函数也是按照应为来写的。有兴趣的来学一吧。
TLSR9在手册上写是多模的,我这里的应用主要是BLE的设备,现在做一下BLE测试笔记,官网提供了BLE的测试Demo,自行下载即可,用Telink_RDS打开工程。
下载了BLE demo 里面有几个实例,使用BLE_Sample,设置为Active进行测试。编译后下载。
这里看一下官方提供了几个应用实例,直接拿来就可以用的
使用这款芯片如果应用与蓝牙鼠标键盘或者语音控制器的产品上,应该直接改改就可以实现功能了。
下面是下载后测试。
使用手机连接eSample后,板子红色LED亮起。
这里评论一下,首先我没有找官方FAE进行任何支持,只是自己一点一点学习,Telink官方的demo代码整洁度还是ok的,相比其他国内的蓝牙芯片来说,我个人认为还是好一点,其次Telink的demo 批注少且没有什么用处的。自学猜测有一定基础的人还是可以明白的。以后如果有项目用的话在深入学习一下吧。
- attribute_ram_code_ int main (void) //must on ramcode
- {
- DBG_CHN0_LOW;
- blc_pm_select_internal_32k_crystal();
- sys_init(DCDC_1P4_DCDC_1P8,VBAT_MAX_VALUE_GREATER_THAN_3V6);
- /* detect if MCU is wake_up from deep retention mode */
- int deepRetWakeUp = pm_is_MCU_deepRetentionWakeup();//MCU deep retention wakeUp
- CCLK_16M_HCLK_16M_PCLK_16M;
- rf_drv_ble_init();
- gpio_init(!deepRetWakeUp);
- if(!deepRetWakeUp){//read flash size
- #if (BATT_CHECK_ENABLE)
- user_init_battery_power_check();
- #endif
- blc_readFlashSize_autoConfigCustomFlashSector();
- #if (FLASH_FIRMWARE_CHECK_ENABLE)
- blt_firmware_completeness_check();
- #endif
- #if FIRMWARES_SIGNATURE_ENABLE
- blt_firmware_signature_check();
- #endif
- }
- /* load customized freq_offset cap value. */
- blc_app_loadCustomizedParameters();
- if( deepRetWakeUp ){ //MCU wake_up from deepSleep retention mode
- user_init_deepRetn ();
- }
- else{ //MCU power_on or wake_up from deepSleep mode
- user_init_normal();
- }
- irq_enable();
- while (1) {
- main_loop ();
- }
- return 0;
- }
附带一下main函数的demo。Telink的代码基本都是这个风格,看着还是很简洁的。函数也是按照应为来写的。有兴趣的来学一吧。
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