FP5207B：带软启动工作频率可调DC-DC升压IC

FP5207B DFN-10L(EP)封装，远翔DC-DC电源管理大功率升压恒压芯片，带软启动可调频率可调。

芯片概述

FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片，外置N沟MOS驱动，与肖特基和电感形成回路组成升压架构;工作电压低至2.8V启动，可适用已单节电池供电，高至24V宽压工作，甚至可通过外部三极管稳压高压供电;恒压基准(VFB)为1.2V±2%，电压高误差小，提高输出的准确度;工作频率(RT)可调为100-1000KHz，可根据需求调整频率段;软启动(SS)可调，可根据需要启动时间来调整。

芯片特色

效率高达90%以上 低功耗，芯片关机功耗最低3uA 启动电压2.8V，稳定工作电压5-24V，扩展电压为24-48V 恒压基准值为1.2V±2% 工作频率100-1000KHz 芯片软启动可调(SS) 芯片输入具有可调过流保护(OCP) 芯片输入低压保护(UVP) 芯片具有过温保护(OTP)

C1、C7：输入与输出稳压电容。 C2、C6、C8：高频噪声滤波电容。 C3：输入电源接 HVDD 经过内部稳压管到 VDS 产生 8V，此电压会提供内部电路与 EXT Pin驱动外部 Q2 的闸极，需要加稳压电容。 C4、C5、C13、R1、R5：系统的补偿回路，关系到系统的稳定度。 C17：软启动电容，改变电容值调整启动时间。 L1：电感具有储能与滤波功用，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感需注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。 D1：当 Q2 截止时，D1 萧特基管导通提供电感放电回路。 Q2：使用内阻低的 NMOS，Drain 端高电压等于输出 19V，耐压选用 19V 的 1.5 倍。 R3：Vin 与 EN 之间接 200kΩ，自动启动 IC。 R6：调整工作频率电阻。 R11、R12：分压电阻设定输出电压。 R8：预留作为 EMI 对策。 Rcs：电感峰值电流检测与过电流保护电阻。

注意事项: 大电流路径走线要粗，铺铜走线最佳。 开关切换连接点 L1、Q2 的 Drain 端与 D1，走线要短与粗，铺铜走线最佳。 输入电容 C6 靠近 HVDD 与 GND Pin，达到稳压与滤波功效。 分压电阻 R11/R12 靠近 FB 与 GND Pin。 FB Pin 远离开关切换点 L1、Q2 的 Drain 与 D1，避免受到干扰。 输入电容 C1/C2 的地、输出电容 C7/C8 与 Rcs 的地，铺铜走线，上下层地多打洞连接。 输出电容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低开关切换突波，降低输出高频噪声。 Rcs 靠近 CS 与 GND pin。 板子多余空间建议铺地。

审核编辑：汤梓红