士兰微募集65亿元，布局IGBT、SiC和车规级封装

伴随新兴市场的应用需求，士兰微拟扩充12英寸芯片和SiC功率器件产能，加快深入电动汽车、光伏等领域。

10月15日，士兰微发布公告，公司计划非公开发行股票募集资金65亿元，其中30亿元用于年产36万片12英寸芯片生产项目建设;7.5亿元用于SiC功率器件生产线建设项目建设;11亿元用于汽车半导体封装项目(一期)建设;16.5亿元用于补充流动资金。

据了解，士兰微此次投建年产36万片12寸晶圆产线项目，达产后将新增年产12万片FS-IGBT、12万片T-DPMOSFET、12万片SGT-MOSFET功率芯片产能;SiC功率器件产线建设项目达产后将实现年产12万片SiC-MOSFET和年产2.4万片SiC-SBD6寸晶圆产能;汽车半导体封装项目(一期)达产后将形成年产720万块汽车级功率模块产能。此次扩建晶圆和封装产线是士兰微长远发展的重要一步，将为公司后续在IGBT、SiC和车规级功率模块领域的长期发展奠定基础，并提供产能保障。

近年来公司产能稳健增长，此次12寸晶圆扩产将进一步提升公司IGBT和MOS晶圆产能。封装方面，公司目前已具备月产7万只汽车级PIM模块的生产能力，已经向比亚迪、零跑、汇川等下游厂商实现批量供货。当前国内汽车主驱模块供给仍然紧张，公司前瞻布局该领域，目前已成为国内IGBT主驱模块主流供应商之一。SiC方面，公司目前已突破并掌握平面栅SiC-MOSFET和SiC-SBD关键威廉希尔官方网站 。随着士兰微IGBT、SiC和车规级封装稳步推进，长期成长空间将进一步打开。

另外，士兰微凭借强劲的研发实力，上半年公司基于8寸平台Trench 1200V IGBT芯片，完成了10A-200A全系列研发工作，对应IGBT系列模块同步投放市场;第二颗SJ MOS进入流片阶段，预计年底产出工程样品;SiC方面，公司SiC SBD产品完成批量出货，SiC 1200V 80mohm系列产品实现量产，1200V 40mohm产品将在今年第四季度推出。经过进一步的产能规划，士兰微研发进展顺利，伴随IGBT、SiC等产品发展节奏，产品力有望稳健提升。

功率器件是电动汽车逆变器的核心能量转换单位。随着高动力性能电动汽车市场的发展，高端的SiC和IGBT等功率器件的需求量也会得到迅速增长。士兰微作为上游器件供应商，提前布局IGBT、SiC和车规级封装产能，想必下游应用市场的需求已具有预见性。电动汽车、光伏等赛道目前依旧火热。

据公告，募投项目投产后，公司12英寸芯片和SiC功率器件的产能将得到提升，有利于扩大市场份额，提高公司主营业务盈利水平，增加公司资产规模和增强抗风险能力，提升和巩固公司的行业地位，促进公司的可持续发展。

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审核编辑 黄昊宇