MOS管导通截止原理详解
1 MOS管导通截止原理
NMOS管的主回路电流方向为D—>S，导通条件为VGS有一定的压差，如 5V（G电位比S电位高）。
PMOS管的主回路电流方向为S—>D，导通条件为VGS有一定的压差，如 -5V（S电位比G电位高）。
2 MOS管做上管和下管
NMOS当下管，即S极（源极）直接接地，只需控制G极（栅极）电压即可控制NMOS管的导通或截止，因为MOS管导通的条件取决于VGS的压差。
NMOS当上管，D极（漏极）接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，NMOS关截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。
PMOS当上管或下管原理一样。
通常使用PMOS做上管，NMOS做下管。
3 NMOS管应用
使用NMOS当下管，S极直接接地，只需将G极电压固定值为5V即可导通（该5V视MOS管型号而定）
4 PMOS管应用
使用PMOS当上管，S极直接接电源VCC（5V），只需将G极电压固定值为0V即可导通。
审核编辑：汤梓红
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原文标题：NMOS管和PMOS管做开关控制电路
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