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NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)

batai 来源:batai 作者:batai 2022-07-13 11:01 次阅读

1.描述
NP3P06MR采用先进的沟槽威廉希尔官方网站 并设计为低门极提供优秀的RDS(ON)冲锋。可用于负载开关和电池保护申请。

2.一般特征
* VDS=-60V,ID=-3A
RDS(开)(典型值)=123.5 mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)(典型值)=160 mΩ@VGS=-4.5V
* 高功率和电流处理能力
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装

3.应用程序
* 电池保护
* 负荷开关

4.包装
SOT-23-3L

5.示意图

poYBAGLONSCARl3xAADU3qFe67M838.png



审核编辑 黄昊宇

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