0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

纳米硅的制备方法

锂电联盟会长 来源:锂电联盟会长 作者:锂电联盟会长 2022-07-10 15:15 次阅读

硅(Si)具有4200mAh/g的理论比容量,超高的理论比容量赋予其极大的电池应用潜力。但是Si在充放电过程中存在三大主要问题:

(1)体积变化非常大(约300%),进而导致电极材料粉化脱落;

(2) SEI膜持续形成,消耗大量的锂离子;

(3)本征载流子浓度很低,导电性很差。

针对上述问题,为了使Si材料能够达到车用电池负极的标准,国内外研究人员进行了大量深入的研究,主要从如下三方面解决:

(1)硅的纳米化。纳米硅尺寸小,一方面在合金化反应中绝对体积变化小,可以减轻形变应力,另一方面会提高电极的比表面积,缩短锂离子在固体中的传输距离。

(2)硅和碳复合。将纳米硅和碳材料进行复合,既能保留硅的高容量、碳材料良好的导电性,又能缓冲硅的体积膨胀。

(3)微观结构设计。通过制备中空核鄄壳结构、3D多孔结构等特殊结构,利用结构的优势缓解硅体积膨胀等带来的负面影响。

本文主讲纳米硅的制备方法。后续持续分享硅碳复合和微观结构设计相关内容,请持续关注!

纳米硅的制备方法

Si颗粒尺寸对其电化学性能有很大影响,纳米尺度的Si颗粒在循环、倍率和快速充放电性能方面有着优异的表现[1]。工业生产纳米级硅粉主要以硅烷(SiH4)为原料,方法主要有等离子增强化学气相沉积法(PECVD)、激光诱导化学气相沉积法(LICVD)和流化床法(FBR)等。实验室制备纳米硅粉可以通过自蔓延法,但该方法存在自放热导致内部实际反应温度人为不可控、易引入杂质元素和产量低等问题,不适合进行大规模工业生产。

1. 等离子增强化学气相沉积法

等离子态下的物质由电离后的导电气体构成,具有极高的能量和活性。等离子增强化学气相沉积法借助辉光放电使硅烷(SiH4)发生电离,然后在基片上沉积形成纳米硅粉。通过调节工艺参数,可以控制硅粉颗粒粒径在10~ 200nm不等。PECVD法的优点在于制备的硅粉尺寸可以达到50nm以下,颗粒尺寸稳定性好,反应基本温度低,沉积速率快,已经实现量产。但这种方法也存在很大缺点:首先,原料SiH4是易燃易爆气体,运输和生产过程中存在很大安全隐患;其次,规模生产设备投资大、成本高,生产过程中伴随强辐射、溢出的金属蒸汽粉尘等对人体有害,产生的有害废气难以处理。

2. 激光诱导化学气相沉积法

激光诱导化学气相沉积法以激光为输入能量源,伴随激光光解,气体分子或原子在瞬间被活化,在极短时间内完成形核,但来不及长大,形成纳米级颗粒。用特定波长的高能激光照射SiH4气体,诱发SiH4解离,硅源随后进行重新形核和长大,控制相关反应条件可以得到不同尺寸的纳米硅粉。LICVD法可以实现迅速升温和快速冷却,使得纳米级的Si颗粒来不及长大,可以获得极小尺寸(10nm以下)的纳米硅颗粒。LICVD法具有激光能量高度集中、温度梯度大等特点,容易制备出10nm以下的非晶和晶态纳米粒子,且粒度分布均匀、无污染、无粘结,主要应用于Si、Si3N4、SiC以及部分金属氧化物纳米粒子的合成。近年来对LICVD已经进行很多研究,但对反应中大量的基元反应、化学平衡关系的建立和分子的内能状态等问题尚无确切的结论。LICVD不需要普通化学气相沉积的高反应温度要求,是一种极具潜力的纳米材料合成新威廉希尔官方网站 ,但目前应用还集中在小批量生产,实现LICVD大规模合成纳米粒子是未来研究的一个重要方向。

3. 流化床法

流化床法是使固体颗粒分散到流体中从而具备一定的流体特征,该状态称为固体流化态。将SiH4以一定的气体流速通入到流化专用设备中,在特定催化剂颗粒存在条件下可以在流化床中反应形成纳米级硅粉,通过控制硅颗粒在反应器中的停留时间可以控制颗粒的粒度[2]。 流化床反应器具有产量高、产物颗粒小和催化剂有效系数高等优点,但也存在一次转化率低、返混严重等缺点,生产中催化剂颗粒和仪器设备磨损严重,对催化剂强度有很大的要求,当通入气体流速很大时,催化剂颗粒可能被带出流化床反应器。

4. 自蔓延法

自蔓延又被称为燃烧法,本质是利用反应自身放热来提供整个反应体系需要的能量。在一定温度下引发自蔓延反应,利用反应自身放热,后续无需提供外部热源即可持续反应。但引发后的内部反应温度将失去人为可控性。以SiO2为原料自蔓延法制备纳米硅粉为例,首先通过“Stöber法”冶制备纳米级SiO2或者SiO2包覆物,然后让SiO2与一些化学性质较活泼的金属(如镁等)发生自蔓延反应,可制得纳米级硅粉[3-4],反应的本质在于高还原性的镁夺去了SiO2中的氧,形成单质硅。中间产物SiO2的合成与还原也可以是同时进行的。然而,镁热反应放出大量的热,一旦反应引发,局部温度可达1500°C以上,Si和C共存条件下非常容易形成SiC,杂质SiC将很难除去,未反应的SiO2除杂必须通过具有强腐蚀性的氢氟酸,困难的除杂任务阻碍了自蔓延法的工业应用。此外,根据目前资料,SiO2只能被镁粉还原,反应中实际温度很高,规模生产单次必然用到大量镁粉,这可能引发爆炸。自蔓延法制备纳米硅粉目前还仅停留在实验室研究阶段,未来期望有镁粉的替代还原物出现来解决上述问题。

原文标题:锂电负极专题:纳米硅的应用与制备方法

文章出处:【微信公众号:锂电联盟会长】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

审核编辑:彭静
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 纳米硅
    +关注

    关注

    0

    文章

    4

    浏览量

    6239
  • 仪器设备
    +关注

    关注

    1

    文章

    104

    浏览量

    10744
  • SiO2
    +关注

    关注

    0

    文章

    21

    浏览量

    8535
  • 电池
    +关注

    关注

    84

    文章

    10617

    浏览量

    130195

原文标题:锂电负极专题:纳米硅的应用与制备方法

文章出处:【微信号:Recycle-Li-Battery,微信公众号:锂电联盟会长】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的纳米锥仿真

    介绍 在高约束芯片上与亚微米波导上耦合光的两种主要方法是光栅或锥形耦合器。[1] 耦合器由高折射率比材料组成,是基于具有纳米尺寸尖端的短锥形。[2] 锥形耦合器实际上是光纤和亚微米波导之间的紧凑模式
    发表于 01-08 08:51

    浅谈制备精细焊粉(超微焊粉)的方法

    制备精细焊粉的方法有多种,以下介绍五种常用的方法
    的头像 发表于 01-07 16:00 48次阅读
    浅谈<b class='flag-5'>制备</b>精细焊粉(超微焊粉)的<b class='flag-5'>方法</b>

    利用液态金属镓剥离制备二维纳米片(2D NSs)的方法

    本文介绍了一种利用液态金属镓(Ga)剥离制备二维纳米片(2D NSs)的方法。该方法在接近室温下通过液态镓的表面张力和插层作用破坏范德华力,将块体层状材料剥离成二维
    的头像 发表于 12-30 09:28 81次阅读
    利用液态金属镓剥离<b class='flag-5'>制备</b>二维<b class='flag-5'>纳米</b>片(2D NSs)的<b class='flag-5'>方法</b>

    晶体太阳电池的基本结构和制备工艺流程

    本文简单介绍了晶体太阳电池基本结构和晶体太阳电池晶体材料的制备
    的头像 发表于 12-27 09:30 308次阅读
    晶体<b class='flag-5'>硅</b>太阳电池的基本结构和<b class='flag-5'>制备</b>工艺流程

    Aigtek功率放大器如何帮助制备(1~100nm)级的纳米薄膜

    材料、平面显示器、超导材料、气体催化材料、过滤器材料、光敏材料、高密度的磁性记录材料。那么 功率放大器 可以帮助制备(1~100nm)级的纳米薄膜吗? 首先,我们来聊一聊纳米薄膜材料的性质: 1.蓝移和宽化
    的头像 发表于 12-20 10:42 160次阅读
    Aigtek功率放大器如何帮助<b class='flag-5'>制备</b>(1~100nm)级的<b class='flag-5'>纳米</b>薄膜

    OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的纳米锥仿真

    介绍 在高约束芯片上与亚微米波导上耦合光的两种主要方法是光栅或锥形耦合器。[1] 耦合器由高折射率比材料组成,是基于具有纳米尺寸尖端的短锥形。[2] 锥形耦合器实际上是光纤和亚微米波导之间的紧凑模式
    发表于 12-11 11:27

    单面磷化铟晶片的制备方法有哪些?

    单面磷化铟晶片的制备方法主要包括以下步骤: 一、基本制备流程 研磨:采用研磨液对InP(磷化铟)晶片进行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3(氧化铝)和悬浮剂,其中Al2O3的粒径通常在400
    的头像 发表于 12-11 09:50 145次阅读
    单面磷化铟晶片的<b class='flag-5'>制备</b><b class='flag-5'>方法</b>有哪些?

    透射电镜(TEM)样品制备方法

    透射电子显微镜(TEM)是研究材料微观结构的重要工具,其样品制备是关键步骤,本节旨在解读TEM样品的制备方法。   透射电子显微镜(TEM)是研究材料微观结构的重要工具,其样品制备是关
    的头像 发表于 11-26 11:35 574次阅读
    透射电镜(TEM)样品<b class='flag-5'>制备</b><b class='flag-5'>方法</b>

    利用全息威廉希尔官方网站 在晶圆内部制造纳米结构的新方法

    本文介绍了一种利用全息威廉希尔官方网站 在晶圆内部制造纳米结构的新方法。 研究人员提出了一种在晶圆内部制造纳米结构的新
    的头像 发表于 11-18 11:45 318次阅读

    晶圆的制备流程

    本文从硅片制备流程为切入点,以方便了解和选择合适的晶圆,晶圆的制备工艺流程比较复杂,加工工序多而长,所以必须严格控制每道工序的加工质量,才能获得满足工艺威廉希尔官方网站 要求、质量合格的硅单晶片
    的头像 发表于 10-21 15:22 312次阅读

    激光纳米加工的突破性进展

    硅片内部多维激光纳米光刻概念 一种新方法利用空间光调制和激光脉冲在内部实现了精确的纳米制造,创造出先进的纳米结构,有望用于电子学和光子学领
    的头像 发表于 08-05 06:31 183次阅读
    激光<b class='flag-5'>纳米</b>加工的突破性进展

    ATA-7010高压放大器在纳米薄膜制备中的作用有哪些

    纳米薄膜制备是现代微电子、光学、磁学等领域中的关键威廉希尔官方网站 之一。在纳米薄膜制备过程中,高压放大器作为一种重要的设备,能够为薄膜沉积过程提供稳定、高效的动力支持。ATA-7010高压放大器作
    的头像 发表于 05-17 11:19 344次阅读
    ATA-7010高压放大器在<b class='flag-5'>纳米</b>薄膜<b class='flag-5'>制备</b>中的作用有哪些

    石墨烯粉体制备方法

    石墨烯,一种由单层碳原子组成的二维材料,因其出色的物理性质、化学稳定性和潜在的应用价值,受到了广泛的关注。自2004年首次通过机械剥离法成功制备以来,石墨烯的制备方法已成为研究热点。本文将详细介绍石墨烯粉体的几种主要
    的头像 发表于 03-20 10:44 1397次阅读
    石墨烯粉体<b class='flag-5'>制备</b><b class='flag-5'>方法</b>

    LPCVD和PECVD制备掺杂多晶层中的问题及解决方案

    高质量的p型隧道氧化物钝化触点(p型TOPCon)是进一步提高TOPCon太阳能电池效率的可行威廉希尔官方网站 方案。化学气相沉积威廉希尔官方网站 路线可以制备掺杂多晶层,成为制备TOPCon结构最有前途的工
    的头像 发表于 01-18 08:32 2516次阅读
    LPCVD和PECVD<b class='flag-5'>制备</b>掺杂多晶<b class='flag-5'>硅</b>层中的问题及解决方案

    详解的晶面及应用

    研究人员利用(100)、(110)和(111)晶面的不同特性对其进行各向异性湿法腐蚀,从而制备出不同的结构,这是半导体工艺中常用的加工方法
    的头像 发表于 01-11 10:16 1.7w次阅读
    详解<b class='flag-5'>硅</b>的晶面及应用