NP50P02QR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP50P02QR采用了先进的战壕
威廉希尔官方网站 和设计，提供优秀的RDS(ON)与
门费用低。它可以用于各种各样的
应用程序。
一般特征
VDS = -20v, id = -50a
RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v
用于超低RDS(ON)的高密度电池设计
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优秀的包装，良好的散热
应用程序
负荷开关
包
PDFN3 * 3-8L
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
2:设计保证，不经生产检验。
热特性
审核编辑 黄昊宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
单片机
+关注
关注
6037文章
44558浏览量
635238 -
MOSFET
+关注
关注
147文章
7164浏览量
213278
发布评论请先 登录
相关推荐
AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET
描述：
AP2222D采用先进的沟槽威廉希尔官方网站
可提供出色的RDS（ON）
低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作
该器
发表于 10-08 11:34
P沟道增强型场效应管有哪些特点
P沟道增强型场效应管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称P-MOSF
简单认识P沟道增强型场效应管
P沟道增强型场效应管，简称P-MOSFET（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran
LM3D50P02 MOSFET：专为电子烟优化的高性能选择
、一、 为电子烟设备而生MOSFET——LM3D50P02 上海雷卯EMC小哥通过对RELX悦刻、Smoore International (思摩尔国际)、Sigelei (思格雷
CSU32P20的1/8VDD通道准吗？多少误差
代码除了一处其他都相同，用CSU32P10时1/8VDD通道就很准，而用32P20时理论与实际就相差了0.1V，唯一代码不同点就是32P10
发表于 08-10 15:59
ADS125H02 ±20V输入、双通道、40kSPS、24位 Δ-ΣADC数据表
电子发烧友网站提供《ADS125H02 ±20V输入、双通道、40kSPS、24位 Δ-ΣADC数据表.pdf》资料免费下载
发表于 07-23 11:34
•0次下载
SLD60N02T美浦森 TO-252封装 60A 20V MOS管
：DFN3*3-8P沟道
SLD80N06T品牌：美浦森 电压：60V 电流：80A封装：TO-252N沟道
SLD90N02T品牌：美浦森 电压：20V 电流：90A封装：TO-25
发表于 04-26 14:37
3V 至 20V 输入、电压模式、同步降压控制器TPS4030x数据表
电子发烧友网站提供《3V 至 20V 输入、电压模式、同步降压控制器TPS4030x数据表.pdf》资料免费下载
发表于 04-17 11:00
•0次下载
双通道N沟道20V（D-S）MOSFET 9926产品数据手册
电子发烧友网站提供《双通道N沟道20V（D-S）MOSFET 9926产品数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-01 17:59
•0次下载
–20V P沟道FemtoFET™ MOSFET CSD25501F3数据表
电子发烧友网站提供《–20V P沟道FemtoFET™ MOSFET CSD25501F3数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-26 14:32
•0次下载
具有-5V输入电压能力的20V、4A双通道低侧栅极驱动器UCC27444数据表
电子发烧友网站提供《具有-5V输入电压能力的20V、4A双通道低侧栅极驱动器UCC27444数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-22 13:46
•0次下载
60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册
电子发烧友网站提供《60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 02-20 10:02
•0次下载
工商网监
评论