NP3417EVR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP3417EVR采用了先进的沟槽威廉希尔官方网站
提供卓越的RDS(ON)
V
，低栅极电荷和
工作电压低至1.8V。这个设备
适合用作负载开关或PWM
应用程序。
一般特征
DS = -20 v, ID
R
= 3
DS(上)(Typ) = 43 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 51米Ω@VGS
高功率和电流处理能力
= -2.5 v
获得无铅产品
表面安装包
ESD额定电压:2500V HBM
应用程序
PWM程序
负荷开关
包
SOT-23
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
热特性
注:
a:TC = 25℃。b:表面安装在1“x 1”FR4板上。
c:t = 5 s。d:稳态条件下最大为175°c /W。
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
审核编辑 黄昊宇
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