0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

长江正式打破三星垄断,192层3D NAND闪存实现年底量产

要长高 来源:龙猫新视野公众号 作者:龙猫新视野公众号 2022-06-17 10:56 次阅读

中国芯片传来捷报,长江存储取得重大威廉希尔官方网站 突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是业内奇迹般的崛起,拥有全领域最高单位面积的存储密度,这些,长江存储只用了3年的时间,完成了同领域需要6年才能走完的路。

懂行的朋友应该清楚,三星在存储芯片的层数最高量产也就是192层,也就是现在的世界顶尖水平,200层以上,韩国三星还没能突破威廉希尔官方网站 瓶颈,无法达到量产的水平。此前,长江存储已经 推出了UFS3.1规格通用闪存芯片--UC023,要知道,在这一方面,NAND闪存的最高规格也就是US3.1,至于更高更先进的,韩国三星还仅存在于理论层面,没有威廉希尔官方网站 支持,那么,这些意味着什么呢?

科学威廉希尔官方网站 是第一生产力,创新是引领发展的第一动力,长江存储的威廉希尔官方网站 突破带领国家发展走向更加现代化、科技化的道路,长江存储的成功,离不开自身对科研发展的热爱和追求,同时也离不开国家对科研工作的大力支持。现在长江存储的NAND 闪存芯片应用非常广泛,依托中国这个全球最大的市场,加上中国力推芯片自主化,长江存储得到了前所未有的发展机遇,如今除了华为,长江存储也打入了苹果供应链,为iPhone SE 3供应闪存芯片,这也是中国科技力量最好的体现。

当然,客观来讲,我们在这一领域需要努力的地方还有很多,毕竟我国起步较晚,加上西方国家对核心威廉希尔官方网站 的恶意封锁,导致我们需要付出比常人更多的努力,但从成果来看,我们已经取得了跨越性进步。另外,在行业里看,其他厂商的发展速度也不能忽视,三星还在追赶224层3D闪存芯片的量产计划,所以从这个维度来看,我们离全球最顶尖水平还有1到2年的时间,不过我们相信,用不了多久,一定可以消除这个差距。

总体来讲,长江存储的192层3D NAND闪存芯片,是中国芯片发展的一大里程碑,同时它也意味着,国产存储芯片在追赶美国、韩国顶尖企业的道路上,又迈进了一大步,由此可以带动其他芯片威廉希尔官方网站 和相关产业的发展,只有掌握科学威廉希尔官方网站 的核心,才能真正改变人类生产生活的方式,进而影响世界发展格局,这些都是我们努力就可以做到的事情,弘扬科学精神、传播科学思想,是我们新一代年轻人应该为社会发展、构建人类命运共同体做出的贡献。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1681

    浏览量

    136134
  • 闪存芯片
    +关注

    关注

    1

    文章

    119

    浏览量

    19612
  • 长江存储
    +关注

    关注

    5

    文章

    324

    浏览量

    37884
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000

    2030年实现1000堆叠的3D NAND存储器。   3D NAND似乎已经成为各大存储企业
    的头像 发表于 06-29 00:03 4512次阅读

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-NAND,到现在层数已经迈进
    发表于 12-17 17:34

    三星MLC NAND闪存或面临停产传闻

    近日,业界传出消息称,三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给,并计划在2024年底停止在现货市场销售该类产品,而到了2025年6月,MLC
    的头像 发表于 11-21 14:16 207次阅读

    三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

    三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特(Tb)容量四单元(QLC)第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅
    的头像 发表于 09-12 16:27 573次阅读

    三星已成功开发163D DRAM芯片

    在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出163D DRAM威廉希尔官方网站 。同时,他透露
    的头像 发表于 05-29 14:44 792次阅读

    3D NAND闪存来到290,400+不远了

    电子发烧友网报道(文/黄晶晶)早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+ 3D NAND,并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前
    的头像 发表于 05-25 00:55 3743次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>来到290<b class='flag-5'>层</b>,400<b class='flag-5'>层</b>+不远了

    三星电子研发163D DRAM芯片及垂直堆叠单元晶体管

    在今年的IEEE IMW 2024活动中,三星DRAM业务的资深副总裁Lee指出,已有多家科技巨头如三星成功制造出163D DRAM,其中美光更是发展至8
    的头像 发表于 05-22 15:02 856次阅读

    三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产

    近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
    的头像 发表于 04-23 11:48 637次阅读

    三星量产第九代V-NAND闪存芯片,突破最高堆叠层数纪录

    三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290第九代V-NAND3D NAND
    的头像 发表于 04-18 09:49 671次阅读

    三星即将量产290V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290第九代V-NAND3D NAND
    的头像 发表于 04-17 15:06 603次阅读

    三星九代V-NAND闪存或月底量产,堆叠层数将达290

    据韩媒Hankyung透露,第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290,但IT之家此前曾报道过,三星在学术会议上展示了280堆叠的QL
    的头像 发表于 04-12 16:05 843次阅读

    铠侠计划2030-2031年推出千3D NAND闪存,并开发存储级内存(SCM)

    目前,铠侠和西部数据共同研发NAND闪存威廉希尔官方网站 ,他们最杰出的作品便是218堆叠的BICS8 3D闪存,这项产品能达到的传输速度高达3200M
    的头像 发表于 04-07 15:21 665次阅读

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下
    的头像 发表于 03-14 15:35 553次阅读

    三星将推出GDDR7产品及280堆叠的3D QLC NAND威廉希尔官方网站

    三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280堆叠的3D QLC NAND威廉希尔官方网站 。
    的头像 发表于 02-01 10:35 782次阅读

    三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

    部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-
    的头像 发表于 01-03 10:46 1019次阅读