在过去的博客中,我们介绍了瑞萨功率器件系列。上一次是推出响应节能和高性能 xEV 的 IGBT 产品。如果您错过了我们之前关于 IGBT 的博客,您可以在這里查看。這一次,让我介绍汽车功率MOSFET产品。
从全世界应对全球暖化的角度出发,许多国家都提到了汽车电气化。 日本政府设定了目标:所有新车到2035年都将实现电气化。日本政府提到的“电气化汽车”不仅指电池EV和燃料电池车,还指混合动力和插电式混合动力汽车。另一方面,欧盟对电气化车辆表现出强硬立场。欧盟提议在2035年有效禁止销售新的汽油和柴油汽车。该提案包括到2035年将车辆的二氧化碳排放量减少100%。
混合动力和电池电动汽车的活动在世界上加速,但你知道轻度混合动力车吗?混合动力和电池电动汽车的电池电压系统采用数百伏特以上的高压。对于超过60V的电池系统,需要符合严格的安全标准,并增加了安全成本。因此,开发48V电池系统的轻度混合动力车可以降低成本和二氧化碳排放。电气化车辆具有政治层面,一些一级和原始设备制造商认为,它需要很多时间来完成电气化,未来轻度混合动力汽车仍将有一些份额。我想在这个博客中介绍我们用在轻度混合动力车中的功率MOSFET。
瑞萨为轻度混合动力车的48V电池系统提供ANM2系列产品。瑞萨发布了最新的ANM2产品; RBA250N10CHPF。RBA250N10CHPF採用TO-263 7pin SHL 封裝,不仅可实现低导通电阻,还可实现低热阻。世界上许多客户使用我们的ANM2 产品用于电机控制应用。现在,作为ANM2下一代的 ANM3 产品正在开发中。
瑞萨专注于低导通电阻的MOSFET。对于下一代ANM3,通过我们自己的晶圆工艺威廉希尔官方网站 来降低导通电阻,Ron指数可以低于ANM2。*Ron 指数表示 Ron 为晶圆工艺; 1.0 (ANM2)→ 0.8 (ANM3 100V), 0.58 (ANM3 80V)。瑞萨ANM3将应用 TO-LL (无引脚) 封裝,可以从传统的 TO-263 7pin SHL (扁平引脚)减少封裝电阻。同時,新的晶圆工艺和新的封装可以使导通电阻从 ANM2 产品中的 1.9mΩ 大幅降低,使ANM3 产品达到一流的低导通电阻性能。
我們即将提供ANM3样品; Proto sample – 11月/2021,WS - Q4/2022,CS - Q4/2023。
审核编辑:郭婷
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