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IGBT开关损耗产生的原因与PiN二极管的正向恢复特性

电力电子威廉希尔官方网站 与应用 来源:耿博士电力电子威廉希尔官方网站 作者:Dr Geng 2022-04-19 16:00 次阅读

01前 言

大家好,这期我们再聊一下IGBT的开关损耗,我们都知道IGBT开关损耗产生的原因是开关暂态过程中的电压、电流存在交叠部分,由于两者都为正,这样就会释放功率,对外做功产生热量。那为什么IGBT开关过程会有这样的特性?也就是为什么对于开通暂态电流先上升电压后下降,而对于关断暂态电压先上升而电流后下降呢?估计很多小伙伴没有想的太清楚,下面我们就来聊一下这个话题...

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02开通暂态分析

为了便于分析,我们还是以双脉冲测试电路为例进行分析,在这里还要强调一下由于大部分工业应用负载都是感性的,因此在分析双脉冲测试时,只要接个电感就可以了。对于开通暂态分析我们主要关注双脉冲的第2个脉冲的开通暂态过程,至于原因相信大家应该都比较清楚了,第一个脉冲电流从0开始上升,不会产生开通损耗,而对于工作在开关状态的IGBT第2、3、4、5…、n个脉冲的开通暂态本质上都是一样的,只是电流大小逐渐增大,通过改变第1个脉冲的宽度就可以interwetten与威廉的赔率体系 出不同电流下的开通暂态行为,所以只需要双脉冲就可以完成所有电流下的开通暂态分析。

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假设t0时刻以前S1已经历过一次开关状态,且处于关断稳态,此时负载电感正在通过续流二极管D2续流。t0时刻S1接收到开通命令,经过开通延迟时间后,在t1时刻,S1的栅极达到开启阈值,正式开始了与邻家小弟D2的电压和电流的控制权争夺之战。二极管小弟D2虽然仰仗负载电感大哥,把控着电流控制权,但是在邻居S1和电源大哥Vdc的双重压迫下,不得不开始先把电流控制权移交出去,因此在t1时刻S1的电流迅速上升,而D2的正向电流也以同样的速率快速下降,很快在t2时刻完成了交接(不考虑反向恢复过程)。

那为啥在电流交接的过程S1和D2两者的电压却没什么变化呢?原来D2小弟还有个本领,只要有电流通过,那我就会保持正向导通状态,既然自己处于正向导通状态,那S1的集电极电压还依然就是Vdc。S1知道二极管有这个特性,过早争夺也没意义,心想只要把D2的电流控制权要过来后,自然也不会受D2的控制了。因此在t2时刻伴随着电流交接完成,S1的电压开始下降,D2也开始承受反向电压(图中的电压缺口是回路杂感引入的,在这里我们就不分析了,可以用虚线把缺口补上,代表无杂感状态),S1知道电压控制权一旦要过来,那剩下的就完全靠自己了,电压的下降时间取决于自身的“化功大法”(电导调制),电流越大,需要的时间越长。关于电导调制的概念前面也提到过,和PiN二极管类似,详细可以参考这篇文章:

如何理解PiN二极管的正向恢复特性?

看到这里相信大家也应该明白了,造成IGBT开通损耗的主要原因为上一个开关状态对管的续流二极管在续流,只有当二极管电流下降到0时,IGBT电压才会下降,而电压下降还要看电导调制时间,这样就造成了开通暂态电压和电流的交叠现象,当然本质原因还是电感负载导致,让我们再来看看关断暂态过程。

03关断暂态分析

对于关断暂态分析,我们还以双脉冲测试电路为例进行说明,由于我们只关注关断暂态,因此单脉冲分析也是可以的。

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在t0时刻之前IGBT S1处于导通状态,t0时刻S1接收到关断指令,此时是S1也尝试关断集电极电流,但是S1自己都不知道此时集电极电流已经被完全外部电感控制了,但是命令已然下达,S1也有很强的适应能力,虽然模块内部电流分布已经波涛汹涌,但外部表现依然风平浪静(由于IGBT是双极性器件,电子和空穴都导电,接收到关断命令后,电子电流受门极控制很快消失,为了维持负载电流不变,空穴电流义不容辞迅速增加)。这个过程其实是很复杂的,老耿不详述了,详细可以参考以前的文章:

IGBT关断过程是怎样的?(第一讲)

这样由于内部载流子和电场的复杂变化,对外表现就是电压先建立起来,当S1的集电极电压高于母线电压和上管D2的正向压降时,负载电流突然发现了一个新的低阻抗支路,所以也就不好一直赖在S1这里不走了,迅速的切换到D2支路。此时S1肯定在想,你再不走,老子就芭比Q了,多亏隔壁邻居的好哥们D2帮忙,想到刚刚还和D2在争夺电压、电流的控制权,现在又想转移出去,实在惭愧不已。看到自家的哥们D1正在悠闲的刷着抖音,真是远亲不如近邻,刚想上去骂两句,缓解一下刚刚被折磨的情绪,深入一想朋友都是有来有往,既然我得依赖邻居的D2,那邻居的S2也要依靠自家的兄弟D1,也就赶紧闭上了嘴,大家还是和平共处吧,不然炸鸡了,都遭殃。正在思索着,突然又接收到开通命令,一股强烈的电流自下而上贯穿整个身体,好吧,认命吧。。。

看到这里大家应该明白IGBT关断损耗产生的原因了吧,又是负载电感搞的鬼。由于IGBT每次开关过程都会被负载电感折磨一次,每次都会让自己发热,久而久之多多少少都会受到一些影响,这也就是为什么高可靠产品都开始关注IGBT的寿命计算了。关于二极管产生损耗的原因,老耿就不说了,大家可以自行分析一下,有问题可以私信我。

原文标题:IGBT为什么会产生开关损耗?

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原文标题:IGBT为什么会产生开关损耗?

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