Vishay推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件

Vishay Siliconix n 沟道MOSFET

超级结器件降低传导和开关损耗

提高通信、服务器和数据中心应用能效

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET 低 27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降 60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平，该参数是 600 V MOSFET 在功率转换应用中的关键指标(FOM)。

Vishay 丰富的 MOSFET 威廉希尔官方网站 全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种新型电子系统。随着 SiHK045N60E 的推出以及即将发布的第四代 600 V E 系列产品，公司可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的要求——包括功率因数校正和硬切换 AC/DC 转换器拓扑结构。

SiHK045N60E 采用 Vishay 最新高能效E系列超级结威廉希尔官方网站 ，10 V 下典型导通电阻仅为 0.043 Ω，超低栅极电荷下降到 65 nC。器件的 FOM 为 2.8 Ω*nC，比同类接近的 MOSFET 竞品器件低 3.4 %。SiHK045N60E 有效输出电容 Co(er) 为117 pF，有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而达到节能效果。SiHK045N60E 结壳热阻 RthJC 为 0.45 C/W，比接近的竞品器件低 11.8 %，具有更加出色的热性能。该器件采用 PowerPAK 10x12 封装，符合 RoHS 标准，无卤素，可承受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值 100 % 通过 UIS 测试。

SiHK045N60E 现可提供样品并已实现量产，供货信息可与当地 Vishay 销售代表联系或发送电子邮件至 hvm@vishay.com。

原文标题：FOM 仅 2.8 Ω*nC!第四代 600V E 系列 MOSFET，传导损耗更低

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审核编辑：汤梓红