高能效和可靠性在电源应用中日益重要,尤其是为了使制造商能满足更严格的国际标准。
安森美半导体新的650 V SUPERFETIII FAST 超级结MOSFET比市场上其他超级结MOSFET提供更好的开关性能,能效和系统可靠性更高。在快速增长的市场,包括5G、电动汽车充电桩、电信和服务器领域,对这些特性的要求很高。
安森美半导体的新一代1200 V碳化硅(SiC)二级管,符合车规AECQ101和工业级标准,是电动汽车充电桩及太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车车载充电器(OBC)及电动汽车DC-DC转换器等高功率应用的理想选择。
与硅方案相比,SiC二极管具有明显的优势,包括更高的可靠性、更低的电磁干扰(EMI)和更简单的冷却要求。新设计具有更小的芯片尺寸和更低的电容,较第一代SiC二极管有所改进。NVDSH20120C、NDSH20120C、NDSH50120C和NDSH50120C的正向压降更低,额定电流增加4倍,变化率(di/dt)更高,达到3500 A/µs。更小的芯片尺寸也使F2封装中的热阻降低了20%。
原文标题:新一代SUPERFET MOSFET和SiC二极管
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