揭秘3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节

三星电子和台积电目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。据外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的 3nm GAEMBCFET芯片的制造细节。

GAAFET 晶体管（闸极全环场效晶体管）从构造上有两种形态，是目前 FinFET 的升级版。三星表示传统的 GAAFET 工艺采用三层纳米线来构造晶体管，栅极比较薄；而三星 MBCFET 工艺使用纳米片构造晶体管，三星已经为 MBCFET 注册了商标。三星表示，这两种方式都可以实现 3nm，但取决于具体设计。

第一种 GAAFET 晶体管的想法早在 1988 年便被提出，这项威廉希尔官方网站 允许设计者通过调整晶体管通道的宽度来精确控制性能和功耗。较宽的材料便于在大功率下获得更高的性能；而较薄的材料可以降低功耗，但是性能受影响。

三星于 2019 年便展现了 3GAE 工艺的原理。三星表示，与 7LPP 威廉希尔官方网站 相比，3GAE 能够实现 30% 的性能改进，功率降低 50%，此外晶体管密度可以提升 80%。

编辑：hfy