近日,数码博主@数码闲聊站在微博公布了下一代旗舰SoC高通骁龙875的参数,参数显示,高通骁龙875将采用5nm制程工艺,并采用1+3+4的三丛集架构。主频频率上,这8个核心都与上一代的骁龙865保持一一致,不过在GPU方面升级到了Adreno 660。此外,该博主表示缓存和内存带宽也另外提升。
从这个参数来看,这一代的骁龙875在性能方面可能确实提升不大,但是由于5nm制程工艺的加持,这款SoC或许会在功耗方面有比较大幅度的提升。实际上,目前的5G手机遇到的问题更多是在功耗层面。进入5G时代以来,手机的电池以及散热措施都普遍提升,这也导致了手机重量的增加,因此这一代骁龙SoC在基带的选用和优化也值得期待。
10月6日,高通在微博宣布将在今年的12月1日-2日召开2020高通骁龙威廉希尔官方网站 峰会。每年高通都选择在12月份选择发布新款的骁龙芯片,地点基本都选择在美国夏威夷。不过由于COVID-19疫情的影响,高通今年也将发布会的形式改成了线上发布会。
除了骁龙875,这一次的发布会应该还会推出中端5G芯片,命名可能为骁龙775。按照往年的情况,这一次的骁龙875以及骁龙775都将继续占领大部分的手机品牌。不过今年以来芯片厂商联发科也在不断发力中高端芯片,虽然从目前的情况来看还是没有达到高通的水平,但是在现在的市场上,高通已经不是一家独大了。再加上这一代骁龙875的性能提升可能不太明显,从这点来看,明年联发科的机会还是有的。
编辑:hfy
-
高通
+关注
关注
76文章
7462浏览量
190580 -
联发科
+关注
关注
56文章
2678浏览量
254705 -
5nm
+关注
关注
1文章
342浏览量
26078 -
COVID-19
+关注
关注
0文章
226浏览量
10536 -
骁龙875
+关注
关注
1文章
32浏览量
9294
发布评论请先 登录
相关推荐
评论