台积电推出最新先进的逻辑制程CMOS影像感测器

8月25日，台积电总裁魏哲家在台积电威廉希尔官方网站 研讨会上谈到了台积电未来的4nm工艺、3nm工艺以及全新的N12e特殊制程。

魏哲家指出，N5的升级版工艺N5P将于2021年量产。正如基于N7工艺发展出N6工艺一样，台积电还基于N5工艺发展出了N4工艺，满足下游广泛的产品需求。

据魏哲家介绍，N4在速度、功耗和密度上有所提升，并且与N5有100%的IP相容性，因而能够沿用N5既有的设计基础架构，加速产品创新，N4将于2021年第四季度开始试产。

另外，魏哲家还报告了N3工艺的进展情况。他表示，N3威廉希尔官方网站 具备创新的微缩特征，与N5相比，速度可以提升15%、功率降低30%、逻辑密度增加70%，N3预计于2021年进行试产，并于2022年下半年进入量产。

魏哲家还透露，台积电正在与客户密切合作，定义N3之后的下一节点规格与进度。

值得一提的是，除了先进的逻辑制程，台积电还拥有完整的特殊制程威廉希尔官方网站 ，包括MEMS、CMOS影像感测器、Non-Volatile Memory （NVM）、射频、BCD power等。魏哲家表示，特殊制程在实现人机互动、人类感知和动作能力方面扮演关键角色，也因为上述能力的拓展，让各种联网设备对半导体的需求大增。如今，随身携带的边缘设备除了联网之外，还必须有更多的智慧处理大量数据，而这些联网的边缘设备所用到的半导体威廉希尔官方网站 都对低功耗提出了巨大需求。

针对以上提到的低功耗需求，台积电最新推出了N12e威廉希尔官方网站 ，在没有牺牲速度和逻辑密度的前提下，进一步提升了电源效率。据魏哲家介绍，N12e支持超低漏电设备和超低VDD的设计，可低至0.4V以下。N12e将在智慧物联、移动设备和其他产品应用方面带来更多正面改变。
责任编辑:pj