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台积电3nm工艺计划每平方毫米集成2.5亿晶体管 2022年大规模量产

Carol Li 来源:电子发烧友整理 作者:李弯弯 2020-04-20 11:27 次阅读

4月20日消息,据国外媒体报道,在芯片工艺方面走在行业前列的代工商台积电,已顺利大规模量产5nm工艺,良品率也比较可观。

在5nm工艺量产之后,台积电工艺研发的重点就将是3nm和更先进的工艺。对于3nm工艺,外媒的报道显示,台积电是计划每平方毫米集成2.5亿个晶体管

作为参考,采用台积电7nmEUV工艺的麒麟9905G尺寸113.31mm2,晶体管密度103亿,平均下来是0.9亿/mm2,3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下,就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。

性能提升上,台积电5nm较7nm性能提升15%,能耗比提升30%,而3nm较5nm性能提升7%,能耗比提升15%。

工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管威廉希尔官方网站 。

但台积电老对手三星则押宝3nm节点翻身,所以进度及威廉希尔官方网站 选择都很激进,将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。

台积电在3nm工艺方面已研发多年,多年前就在开始筹备量产事宜。台积电创始人张忠谋在2017年的10月份,也就是在他退休前8个月的一次采访中,曾谈到3nm工厂,当时他透露采用3nm工艺的芯片制造工厂计划在2022年建成,保守估计建成时可能会花费150亿美元,最终可能会达到200亿美元。

而在去年10月份的报道中,外媒表示台积电生产3nm芯片的工厂已经开始建设,工厂占地50到80公顷,预计花费195亿美元。

在4月16日的一季度财报分析师电话会议上,台积电副董事长兼CEO魏哲家也曾谈到3nm工艺,他表示3nm工艺的研发正在按计划推进,计划2021年风险试产,他们的目标是在2022年下半年大规模量产。

魏哲家在会上还透露,3nm是他们在5nm之后在芯片工艺上的一个完整的威廉希尔官方网站 跨越,同第一代的5nm工艺(N5)相比,第一代的3nm工艺(N3)的晶体管密度将提升约70%,速度提升10%到15%,芯片的性能提升25%到30%,3nm工艺将进一步夯实他们未来在芯片工艺方面的领导地位。

电子发烧友综合报道,参考自TechWeb、快科技,转载请注明以上来源和出处。

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