曝英特尔5nm制程放弃FinFET电晶体转向GAA

有消息表示，处理器龙头厂商英特尔在 5 纳米节点上将会放弃 FinFET 电晶体，转向 GAA 环绕栅极电晶体。

此前，英特尔（Intel）的财务长 George Davis 在公开场合表示，目前除了 10 纳米产能正在加速之外，英特尔还将恢复制程威廉希尔官方网站 领先的关键部分寄望在未来更先进制程的发展上，包括英特尔将在 2021 年推出 7 纳米制程威廉希尔官方网站 ，并且将在 7 纳米制程的基础上发展出 5 纳米制程。

据悉，随着制程威廉希尔官方网站 的升级，芯片的电晶体制作也面临着瓶颈。英特尔最早在 22 纳米的节点上首先使用了 FinFET 电晶体威廉希尔官方网站 ，当时叫做 3D 电晶体，就是将原本平面的电晶体，变成立体的 FinFET 鳍式场效电晶体，不仅提高了芯片的性能，也降低了功耗。之后，FinFET 电晶体也成为全球主要晶圆厂制程发展的选择，一直用到现在的 7 纳米及 5 纳米制程节点上。

目前在 GAA 电晶体上也有多种威廉希尔官方网站 发展路线。如之前三星提到自家的 GAA 电晶体相较于第一代的 7 纳米制程来说，能够提升芯片 35%的性能，并且降低 50%的功耗以及 45%的芯片面积。对于三星而言，GAA 电晶体就已经有这样的效能，而英特尔在威廉希尔官方网站 实力上会比三星要更加强大，未来英特尔在 GAA 电晶体的发展上，期提升效能应该会更加明显。

另外，其竞争对手台积电目前在 2020 年首季准备量产 5 纳米制程上，依旧采用 FinFET 电晶体。但是，到了下一世代的 3 纳米节点，目前台积电还尚未公布预计的制程方式。根据台积电官方的说法，其 3 纳米相关细节将会在 2020 年的 4 月 29 日的的北美威廉希尔官方网站 论坛上公布。

目前，英特尔 5 纳米制程的问世时间也还没明确的时间表。不过，英特尔之前提到 7 纳米之后制程威廉希尔官方网站 发展周期将会回归以往的 2 年升级的节奏上，因此就是表示最快 2023 年就能见到英特尔的 5 纳米制程威廉希尔官方网站 问世。