UFS 3.1闪存成5G手机绝配！铠侠和西部数据陆续发布最新进展！

因为疫情影响，各大手机品牌纷纷开展线上发布会，5G手机大战已然开启，与此同时UFS 3.1闪存也成了热门，近日vivo发布了旗下性能最强的SA＆NSA双模5G旗舰手机iQOO 3 5G版，就首发了UFS 3.1闪存，调试信息显示芯片颗粒来自三星。据了解，铠侠及西部数据在UFS 3.1闪存也有最新进展。

西数发布UFS 3.1闪存：写速可达800MB/s

近日，西数宣布推出符合JEDEC最新规范的UFS 3.1闪存，品名iNAND MC EU521 。

西数将这款新型UFS 3.1闪存视作专为5G手机、平板等准备，可为游戏、AR/VR、机器学习、人工智能等场景加速。

根据JEDEC文档，相较于UFS 3.0，UFS 3.1的主要提升在于更高的写入性能、更低的功耗及更稳定的性能管理。为达成写入加速，西数引入了第六代SmartSLC缓存威廉希尔官方网站 ，写速最高可达800MB/s，媲美5G网络实际下载速度，而且即便容量满载也不会掉速。

虽然没有公布存储颗粒类型，但西数表示成本效益高，看来TLC的可能性大。

暂时还不清楚哪款手机或平板会搭载西数iNAND MC EU521 UFS 3.1闪存芯片。

铠侠宣布出样UFS 3.1闪存：最大1TB、写速是UFS 3.0两到三倍

铠侠（KIOXIA，原东芝存储）近日宣布开始出样UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片。

新闪存基于东芝BiCS 3D存储威廉希尔官方网站 打造，设计容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，比西数EU521丰富，主控和闪存都按照规范要求封装在11.5 x 13mm的尺寸之内。

关于性能，铠侠未给出具体数据，但表示写速是UFS 3.0的2~3倍，连续读速比UFS 3.0提升30%，引入HPB改善随机读取性能，睡眠模式下功耗更低，温度过高时可主动降低性能避免损坏元件。

铠侠指出，东芝是最早在2013年推出UFS的厂商，去年也是第一波提供UFS 3.0产品的企业。

相较于UFS3.0，UFS3.1的理论速度依然为23.2Gbps，但引入三个新特性，包括写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能调整通知(Performance Throttling Notification)，以及支持UFS主机性能增强器(HPB，Host Performance Booster)扩展。Write Booster带来最大程度的顺序写入速度提升，HPB能够进一步提升长时间使用后的随机读取性能。

分析显示，小米10 Pro的闪存配置为UFS3.0+Turbo Write ，Realme X50 Pro 的闪存配置为UFS3.0+Turbo Write+ HPB，均较标准版UFS3.0有所升级，与UFS3.1标准基本一致。

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