STM32F1_ FSMC读写外部SRAM

前言

今天总结“STM32F103FSMC读写外部SRAM”，主要使用FSMC来控制外部SRAM，对SRAM进行读写的操作。本文章提供的工程对SRAM读写从操作类似于对FLASH读写操作。

关于STM32的FSMC（灵活的静态存储器控制器）这一部分内容比较实用，在实际应用中也是比较重要的（对于需要实用FSMC来说）。运用FSMC来控制外接器件比运用软件interwetten与威廉的赔率体系 来控制效率要高的多，而且操作简单。

也许对于初学者来说，对FSMC不了解，或不感兴趣。因为FSMC在实际开发中主要用于外扩RAM和ROM,初学者对于RAM和ROM的需求不高，基本上内部资源都够了。对于喜欢使用LCD屏的人应该了解FSMC，因为FSMC控制LCD也是一种很好的方式，市面上很多开发板上的LCD屏都兼容FSMC。

下载

今天提供下载的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘。

今天的软件工程下载地址（360云盘）：

https://yunpan.cn/cSrN5SYtDcyBA访问密码 47fb

STM32F10x的资料可以在我360云盘下载：

https://yunpan.cn/crBUdUGdYKam2访问密码 ca90

内容讲解

工程概要说明： 提供工程是对外部SRAM读写，可以当做缓存（如：一个BUF）来使用，但并不是芯片的RAM（运行内存），只是对SRAM进行读写操作。

程序运行流程：上电写入外部SRAM数据“0 - 262143”（刚好是1M空间，4字节空间一数据），再通读读函数读出其数据，通过串口打印出来。这里每读一次串口打印一次数据，LED变化一次。（请观测现象）

提供的工程以简单为原则，详细中文注释，方便自己方便大家。

关于“STM32F103 片内FLASH编程”我把重要的几点在下面分别讲述：

一、时钟

该函数位于bsp.c文件下面；

开启FSMC和需要使用引脚的时钟。

二、FSMC引脚配置

该函数位于fsmc.c文件下面；

使用了FSMC的引脚都须配置为“GPIO_Mode_AF_PP”，否则不能使用（感兴趣的可以试试）。对于NE3就是：NOR/PSRAM3，我测试的工程是使用FSCM存储块1（下图）的NOR/PSRAM3。所以我测试工程里面的地址是“0x68000000”，其实这个地址有讲究的，请看最后重点。

三、FSMC配置

该函数位于fsmc.c文件下面；

这里的配置和你的SRAM有一点的关联（速度、数据宽度等）。

三、外部SRAM写数据

该函数位于fsmc.c文件下面；

对1M的SRAM写数据（为了测试），方便下面读操作。

四、外部SRAM读数据

该函数位于fsmc.c文件下面；

对1M的SRAM读数据，通过串口打印出来写入的数据，每读一次，打印一次，中间有个延时，所以整个读取的过程时间比较长。

这个地址可以修改，或者选择一段来读取测试也行。希望看到的人都亲自修改程序来测试一下，方便记忆和巩固。

五、今天的重点

A.关于地址的问题，今天提供的工程外部SRAM地址是“0x68000000”(宏定义在fsmc.h里)，善于发现问题和动手的人会发现一个问题，我将这个地址改为“0x68100000”或“0x68200000”测试的效果都一样。我告诉你答案，效果确实是一样的，原因就在于外部SRAM容量“SRAM_EXT_SIZE”大小是1M，而“0x00100000”刚好是1M,这里的地址溢出部分刚好抵消了，所以为什么修改地址也是一样的效果。但地址必须在存储块1的NOR/PSRAM3区域。

B.今天是自己通过标准库来配置的FSMC，其实在“system_stm32f10x.c”文件里面有使用寄存器直接配置FSMC的源代码，感兴趣的朋友可以看一下，今天使用标准库配置其实也是希望大家数据各个参数的功能作用。其实，希望大家在熟悉配置之后还是使用“system_stm32f10x.c”里的配置，毕竟这是官方提供的，它这样配置效率也比较高。

说明

今天提供的软件工程基于STM32F103大容量芯片，中等及小容量芯片没有FSMC功能，自然也不能使用，只要修改flash.h文件一个宏（页大小就可以）。其实只要适当修改工程的部分配置,STM32F1有FSCM功能的芯片都适用。