1月3日,据韩媒Business Korea报道,三星电子已经成功开发了业界首个3nm制程,预计将于2022年开启大规模量产。
报道称,与三星电子的5nm工艺相比,3nm制程能将芯片尺寸缩小35%,功耗降低50%,性能提升30%。
在3nm节点,三星用GAA MCFET(多桥通道FET)工艺取代了之前的FinFET工艺。根据最新消息,三星的3nm工艺整体表现要高于预期水平。
按照去年的说法,与7LPP工艺相比,三星原本预估3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。而现在是将3nm同5nm进行对比,各方面表现又略有提升。据悉,三星的5nm FinFET工艺与7LPP相比,将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%。
值得一提的是,三星一直被诟病的晶体管密度仍然未被提及。作为GAA威廉希尔官方网站 的领头羊,三星究竟能否借由3nm工艺翻盘,还需要时间来证明。
反观竞争对手台积电,该公司也已经在规划3nm制程量产,其位于南科的3nm厂环评已于去年顺利通过,落脚在新竹的3nm研发厂房环评也顺利通过初审,等到环评大会确认结论后,预计可顺利赶上量产时程。
日前,台积电创始人张忠谋在谈到三星时表示,三星是很厉害的对手,目前台积电暂时占据优势,但仅仅只是赢了一两场战役,整个战争还没有结束。
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