EV充电电源系统的电路设计

电动车的火热带动了相关的周边产业，比如充电系统，那设计EV充电电源系统？

UF3C120150K4S是一款1200伏碳化硅（SiC）FET，其典型导通电阻（RDS（on））为150mΩ，最高工作温度为175°C。

与标准的3引脚TO-247相比，该器件采用TO-247-4L封装，可提供更快的开关时间和更清晰的栅极波形。

UnitedSiC新型UF3CFASTSiC系列的成员现在共有13种器件，采用TO-247-3L封装和TO-247-4L封装。有1200V和650V两种选择。

为什么采用4引脚？开尔文连接

UnitedSiC工程副总裁AnupBhalla博士在他的文章“使用开尔文连接来提高SiCFET的开关效率”中描述了开尔文连接的功效。

他指出，SiC设备最好采用TO-247等封装，因为它们产生的热量可以带走。但正如他接着描述的那样，问题在于“与TO-247封装的连接通常具有高电感，这可能会限制开关速度。”但是，通过使用开尔文连接的威廉希尔官方网站 ，可以控制这个问题。

当要关闭器件时，通过将栅极驱动到负电压可以克服这些麻烦的电感的影响，这需要额外的电路。

但是，通过使用开尔文连接来控制引线电感，设计人员可以避免这个问题。通过利用这种威廉希尔官方网站 ，UnitedSiC的设备能够以最大的潜在开关速度运行，而无需复杂的驱动电路，这缩短了OEM的上市时间并降低了制造成本。

共源密码器件

UF3C120150K4S是一款共源共栅器件。在这种布置中，SiC快速JFET与硅MOSFET共同封装。这里的优点是MOSFET可以用非常低的输入电压控制，它本身可以控制一个非常高压的JFET。

插入式替换功能

UnitedSiC的UF3C系列成员采用该公司所描述的真正的“直接替代”功能。这意味着设计人员可以通过简单地用UnitedSiCFET替换现有的SiIGBT，SiFET，SiCMOSFET或Si超结器件，而无需改变栅极驱动电压，从而显着提高系统性能。

对比其它半导体商的产品

随着今天对电力电子的重视，该领域还有其它的解决方案，以下是众多可供选择中的两种：

SSDI的SGF46E70和SGF15E100系列是结合了GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）和低压硅MOSFET的共源共栅器件。这些设备专为要求苛刻的航空和国防应用而设计。

Transphorm的TP65H035WS是一款650V器件，结合了高压GaNHEMT和低压硅MOSFET。它专为数据通信，太阳能逆变器和伺服电机设备以及广泛的工业应用而设计。

然而，似乎UnitedSiC仅提供基于GaN或SiC的开尔文功率FET。