9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。该公司将成为台湾第一家生产内部设计的3D NAND闪存制造商。 该公司董事长吴铭表示，旺宏将在
2019-12-14 09:51:295044 IM Flash 威廉希尔官方网站
有限责任公司是英特尔与美光科技的合资公司，日前，该公司表示目前正在策划如何及何时将3D威廉希尔官方网站
用于NAND闪存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451457 在未来规划中，这一存储器基地项目将被打造成湖北省调结构、实现转型发展的千亿高科技产业项目。
2016-03-29 08:09:581561 武汉新芯记忆体基地在3 月28 日正式启动，瞄准记忆体，目标在2030 年成为月产能100 万片的半导体巨人，而一开始武汉新芯锁定的目标是NAND Flash，对武汉新芯而言，要用3D NAND Flash 圆梦，一个跻身记忆体大厂的梦。
2016-04-18 14:33:324550 红色供应链来势汹汹，外界原本认为，陆厂要到四五年后才能在存储器抢下一席之地，不过有分析师预测，陆厂研发脚步迅速，可能2018年就能量产3D NAND。
2016-05-10 09:56:541190 
近日中国半导体业最引人关注的爆炸性新闻是武汉新芯计划2018年量产48层3D NAND，及它的投资240亿美元的计划。
2016-05-24 10:29:501322 武汉新芯将成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路威廉希尔官方网站
研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。紫光集团董事长赵伟国出任
2016-08-02 17:57:401620 随着国家存储器基地落户湖北，该省的产业链条也在加速完善，以冲击中国IC产业第四极。
2016-10-27 10:13:00598 正在参加互联网大会的紫光集团董事长赵伟国表示，由紫光参与投资总额达240亿美元的武汉存储器芯片厂将于12月初动工。这项投资将扭转大陆当前无力生产存储器芯片的局面，完工后预计2020年月产能达30万片，2030年跃升至100万片，成世界级存储器生产基地。
2016-11-16 11:37:59996 要做好3D打印材料这篇大文章，缩小与国际差距。 2016年3D打印线材迭代更新 打破产业瓶颈指日可待 近几年来，3D打印行业的发展可谓是如火如荼，但在发展过程中，其限制因素也逐渐暴露3D打印材料。
2016-11-26 09:08:11789 今日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目正式动工，预计 2018年建成投产，2020年完成整个项目，初期计划以先进的3D NAND为策略产品
2016-12-31 01:52:113786 工信部公示了集成电路领域4项国家标准，主要集中在存储器测试方面。另外，近期总投资240亿美元的国家存储器基地项目在武汉东湖高新区正式开工，中芯国际40nm ReRAM高端存储芯片已经出样。可见，集成电路领域研发和行业标准规范方面双管齐下局面正在形成。
2017-01-18 09:31:39760 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:128497 
2月16日据中科院网站消息，近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-16 11:35:24863 近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:231529 通过3D堆叠威廉希尔官方网站
将存储层层堆叠起来，促成了NAND 威廉希尔官方网站
进一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 
作为国家级存储项目基地，长江存储总投资金额达240亿美元。预计项目一期建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
2018-04-12 13:59:2519859 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大威廉希尔官方网站
转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154035 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND威廉希尔官方网站
资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
3D打印将精准的数字威廉希尔官方网站
、工厂的可重复性和工匠的设计自由结合在一起，解放了人类创造东西的能力。本文是对当下3D打印威廉希尔官方网站
带来便利的总结，节选自中信出版社《3D打印:从想象到现实》一书。虎嗅会继续摘编该书精华。
2019-07-09 07:02:03
NAND FLASH就是通过die堆叠威廉希尔官方网站
，加大单位面积内晶体管数量的增长。3D NAND比2D NAND具有更高的存储容量，若采用48层TLC 堆叠威廉希尔官方网站
，存储密度可提升至256GB，轻松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器的特点①按顺序存取数据；②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行
2018-04-11 10:11:54
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
区域，这3个块可用于扩展外部存储器，比如 SRAM，NORFLASH 和 NANDFLASH 等Block2 这片区域是用来设计片上外设的片上外设区分为四条总线，根据外设速度的不同，不同总线挂载着
2021-01-14 17:37:08
存储器可划分为哪几类？存储器的层次结构是如何构成的？存储器芯片与CPU芯片是怎样进行连接的？
2021-09-16 07:12:10
NAND FIash存储器的特点FIash文件系统的应用特点 FAT文件系统的结构FAT文件系统的改进设计
2021-04-25 09:18:53
文章目录前言一、存储器类型二、探究S3C2440启动地址1.为什么nand启动地址是4096？2.为什么nor启动地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文记录的是S3C2440启动
2022-02-15 07:30:08
成功，认真投入3D威廉希尔官方网站
研发，而且正要进入量产的一个工厂--武汉存储基地，原本计划的是一个10万片产能的平面一层工厂，现在可以做15万，2019年这个厂也将真正进入量产，长江存储正在积极赶上。`
2018-09-20 17:57:05
世界首款3D芯片工艺即将由无晶圆半导体公司BeSang授权。 BeSang制造了一个示范芯片，在逻辑控制方面包含1.28亿个纵向晶体管的记忆存储单元。该芯片由韩国国家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
第一幅图是加了.step文件后的样子。第二幅图是加载这个自建库后的pcb预览。在没加3D元件时。自定义库是可以用，可预览的。加了3D元件后，工程文件使用了后预览并没有显示出3D的形式。这是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
。
EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种
2023-05-19 15:59:37
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
减少NAND闪存产能投资，以便减少NAND供应，缓解市场对降价的预期。 64层和96层堆栈闪存命运各不同今年将是96层3D闪存爆发的元年。在64层堆栈之后，2018年下半年各大厂商也开始量产96层堆栈
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中，外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash，都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址，页（Page），块（Block）。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
2018年上半进入96层的威廉希尔官方网站
规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈威廉希尔官方网站
上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
X-ray(2D&3D)X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击，在撞击过程中，因电子突然减速，其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置，利用
2021-12-16 11:28:17
未来DDR4、NAND Flash存储器芯片该如何发展
2021-03-12 06:04:41
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
，以绿色（默认颜色）来显示大于最小厚度的所有面。同时，浩辰3D可基于最大悬垂角度，计算验证3D打印时所需的支撑区域（面），并以高亮色区分显示大于、小于最大悬垂角度的区域（面）。此外，通过浩辰3D的打印
2021-05-27 19:05:15
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆，自带坏块管理，10W次擦写寿命，1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
，国信证券预计，下半年电力建设投资将继续增加，势必将带动电缆、变压器产量增幅在20%～30%。电线电缆产量的上升，将有效的刺激铜价，有色金属铜突围指日可待。全球铜缺口扩大（内有乾坤） “资源品价格主要
2011-07-19 10:02:11
些类型的系统中 ， pcm 可以做代码执行存储器.以其可位变性特性. PCM可以转换该种系统中所满的一些或杏所食的 DKAM ,如阁1所示《SnD 存储器系统中， PCM 在满足 NAND 闪存密度满
2018-05-17 09:45:35
是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器（NVM）威廉希尔官方网站
。英特尔为使用该威廉希尔官方网站
的存储设备冠名Optane，而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特尔SSD 800P，900P，905P系列的存储介质都是相变存储器，我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
如图 2 所示，DINOR闪速存储器如图 3 所示，AND闪速存储器单元的结构如图 4 所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种，其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型
2018-04-09 09:29:07
高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111032 
存储介质革命是当今“双轮驱动”存储产业创新源泉之一，未来是闪存的时代，3D NAND被寄予厚望，投资240亿美元的国家存储器基地项目日前也在武汉动工，无不表明3D NAND制造在存储产业中的重要性。
2017-01-09 17:29:12599 紫光南京半导体产业基地主要将生产3D NAND FLASH存储芯片和DRAM存储器芯片，一期占地约700亩，二期占地约800亩;这也是紫光拟在武汉投资控制长江存储、在成都打造晶圆厂，另一个紫光大型的存储器生产南京基地也已经实质启动。
2017-11-28 12:54:401970 我国虽然在半导体芯片行业中落后世界先进水平太多，但也在一步一个脚印地前进，不断取得新突破。据报道，4月11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目，芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。
2018-06-12 09:33:004078 武汉建设NAND工厂，预计今年内量产，据悉国产NAND闪存是32层堆栈的，是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。
2018-05-16 10:06:003750 NAND Flash(储存型快闪存储器)随着2D转3D制程良率改善，量产能力大为提升，尽管价格已经松动，但包括存储器、控制IC、封测等供应体系业者纷纷看好有助于量能提升。存储器控制IC大厂群联电子
2018-07-09 09:52:00513 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-06-20 10:26:001858 万勇透露，武汉国家存储器基地计产能10万片/月的一号生产及动力厂房，首个芯片会在2018年点亮，明年实现量产。而获得国务院批复的武汉国家存储器基地，规划建设3座全球单座洁净面积最大
2018-04-12 16:20:003563 4月11日，长江存储以芯存长江，智储未来为主题，庆贺存储器基地正式移入生产设备。 2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装，正是为4月搬入机台设备而准备，预计很快就可以实现 3D NAND 量产。
2018-04-15 10:08:009280 位于湖北武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台4月11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-04-27 11:52:004923 日前，长江存储以“芯存长江，智储未来”为主题，庆贺存储器基地正式移入生产设备。目前，长江存储新建的厂房已经完成厂内洁净室装修和空调、消防等系统的安装。只要生产设备搬入并完成调试之后，就可以量产NAND Flash芯片，打响中国在存储芯片领域的第一枪。
2018-05-30 02:28:007739 在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司（国家存储器基地），紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。
2018-08-07 14:35:145523 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002185 存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元，占半导体存储器市场总额的32%。
2018-08-13 09:01:001349 非挥发性存储器厂旺宏董事长吴敏求今日透露，该公司已切入3D NAND Flash开发，预计2018年或2019年量产，并进军固态硬盘（SSD）市场。
2018-09-17 16:30:301863 再投240亿美元，紫光成都存储器制造基地成又一个长江存储！ 继2016年12月30日，紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，项目总投资为240亿美元的长江存储国家
2018-10-15 17:07:02783 根据紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。官方称紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
2018-10-16 15:58:402365 对于紫光来说，在10月最大的一笔投资莫过于10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工。
2018-10-22 16:59:501946 现在，长江存储联席首席威廉希尔官方网站
官、威廉希尔官方网站
研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 根据官网资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
2019-08-29 14:28:002164 据中新网8月3日报道， 国家存储器基地项目（一期）二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功，终端机台的电力供给得到保证，芯片的目标量产指日可待。
2019-08-05 15:48:302814 在存储领域，国产厂商一直没有太多发言权，但如今随着中国半导体存储的不断发展，已经取得了相当不俗的成就，近日根据报道，国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前已受电成功，终端机台的电力供给得到保证，芯片的目标量产指日可待。
2019-08-06 16:25:30687 据武汉发布报道，面对建设国家存储器基地、打造“一芯驱动”引擎的新使命，武汉东湖高新区正在谋划完善顶层设计，其中就包括筹划光谷集成电路产业基金，规模10亿元。
2019-08-23 16:00:384064 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:161661 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器威廉希尔官方网站
从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新威廉希尔官方网站
。
2019-09-10 15:24:41742 据悉，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:002612 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 长江存储打破全球3D NAND威廉希尔官方网站
垄断，作为国家重点打造的存储器大项目，经历多年的研发，终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:052849 1 月 16 日讯，据悉，长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示，2019 年，国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的 64 层三维闪存产品已实现量产。
2020-01-16 14:06:02905 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大威廉希尔官方网站
转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:521542 据通用威廉希尔官方网站
集团消息，经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备，日前武汉国家存储器基地施工生产加速推进，现场300余名工人已经投入到各项工作。
2020-04-15 16:20:421705 随着武汉重启，新兴建设承建的国家级高科技重点项目武汉国家存储器基地，经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备，日前，项目施工生产加速推进，现场300余名工人已经投入到各项工作。
2020-04-16 10:06:403784 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091032 6月20日，紫光集团发布消息，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工，规划产能20万片/月，达产后与一期项目合计月产能将达30万片。
2020-06-23 10:10:082987 近日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工，据悉，国家存储器基地的项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，这项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。
2020-09-18 14:54:182533 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着 2D NAND 容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND 的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:132330 存储器的历史始于1984年，彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash（NAND 闪存）。1989年，东芝首款 NAND Flash 上市。2001年，许多Flash厂商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack威廉希尔官方网站
。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程威廉希尔官方网站
。
2023-08-18 11:09:05998 随着信息威廉希尔官方网站
的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 2D NAND和3D NAND都是非易失性存储威廉希尔官方网站
（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:39279 
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