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电子发烧友网>存储威廉希尔官方网站 >三星宣布量产第二代10nm级别1y-nm 8Gb DDR4颗粒,高频内存3600MHz起步

三星宣布量产第二代10nm级别1y-nm 8Gb DDR4颗粒,高频内存3600MHz起步

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三星电子今天宣布,开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

三星宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片

3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251

三星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nmDDR4内存

,动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm8Gb DDR4以来仅仅16个月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:541444

三星电子将开发首款基于第三代10nm级工艺DRAM内存芯片,下半年量产

三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工艺DDR4内存下半年量产

关键词:DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01215

Intel正式宣布第二代10nm工艺的处理器TigerLake 使用全新的CPU内核及GPU内核

2019年就要正式量产了,6月份就会发布10nm Ice Lake处理器,今天Intel也正式宣布第二代10nm工艺的处理器Tiger Lake,将会使用全新的CPU内核及GPU内核。
2019-05-09 15:19:031801

美光正式量产1Znm工艺的16Gb DDR4内存

日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存,这是第三代10nm内存工艺,这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司,这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
2019-08-26 12:43:003359

Intel第二代10nm Tiger LakeU系列或超越AMD桌面高端锐龙9 3900X

10nm Ice Lake还没有全面铺开,Intel第二代10nm Tiger Lake已经频频亮相,不过首发还是面向轻薄本等设备的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:591987

合肥长鑫量产DDR4内存 暂时不会产生什么大影响

9 月份合肥长鑫宣布量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存。对于国产内存,市场预期不会对三星、SK 海力士及美光三大内存巨头带来太大影响,但是会挤压第四大内存厂商南亚科的空间。对此南亚科予以否认,表示短时间内没什么大影响。
2019-11-19 10:44:313316

三星16GB LPDDR5宣布量产,可节省超过20%的功耗

三星电子今天宣布已经开始大规模生产业内第一个16GB 的 LPDDR5移动 DRAM 封装,基于三星第二代10nm级工艺威廉希尔官方网站 ,可提供业界最高的性能和最大的容量,用于下一代高端智能手机。继2019
2020-02-25 13:48:201813

长鑫国产DDR4内存芯片的外观和参数曝光,使用19纳米制造威廉希尔官方网站

长鑫存储正使用其10G1工艺威廉希尔官方网站 (即19nm工艺)来制造4GB8GBDDR4内存芯片,目标是在2020年第一季度上市。现在,一名用户就曝光了新款内存的外观和参数。
2020-02-26 15:01:137803

紫光3年后量产内存 所产的内存首先用于中国市场

2019年国内公司在内存、闪存行业同时取得了重大突破,长江存储量产了64层3D闪存,合肥长鑫则量产了18nm DDR4内存。日前长鑫官网也宣布开售8GB DDR4内存条。
2020-03-02 09:21:431330

Intel今年将推最少9款10nm新品

随着Ice Lake处理器的成功,Intel的10nm工艺总算可以长舒一口气,产能已经没什么问题了。今年的重点是Tiger Lake处理器,这是第二代10nm工艺,CPU及GPU架构也会全面升级。
2020-03-04 15:35:202987

英伟达安培显卡或基于三星10nm工艺

根据外媒WCCFTECH的报道,爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程,而不是之前报道的台积电7nm工艺,据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP威廉希尔官方网站 ,另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

江波龙正式进入内存领域 DDR4高端商用内存

江波龙电子旗下嵌入式存储品牌FORESEE再添新成员,正式发布首款内存产品,宣布正式进入内存领域。 江波龙正式进入内存领域,FORESEE DDR4高端商用内存条新品首发 FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860

江波龙嵌入式存储品牌FORESEE推出DDR4国产化内存

国产化内存的品质之路 FORESEE国产化内存的核心DRAM率先采用长鑫存储的10nm级最新版本8Gb颗粒,该颗粒
2020-05-22 15:24:522345

三星将EUV与10nm工艺结合推出LPDDR5内存芯片

EUV,依靠现有的DUV(深紫外光刻)是玩不转的。 有意思的是,三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合,用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉,三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级(1z)工艺打造,请注意16Gb容量的后缀,是Gb而不是GB,16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:292234

消息称台积电第二代3nm工艺计划2023年推出

年下半年大规模量产。 从英文媒体最新的报道来看,同2018年量产的7nm和今年量产的5nm工艺一样,台积电正在研发的3nm工艺,也将会有第二代。 英文媒体是援引产业链人士透露的消息,报道台积电会推出第二代3nm工艺的,这一消息人士表示台积电计划在2
2020-12-02 17:14:461572

合肥长鑫加速开发17nm工艺内存研发

量产国内首个8Gb DDR4芯片之后,合肥长鑫日前又获得了156亿元的巨额投资,将加速开发17nm工艺的DDR5内存研发及生产。
2020-12-18 09:53:144084

七彩虹发布 iGame VULCAN DDR4 内存,全面升级三星 B-die 颗粒

今日,七彩虹宣布 iGame 内存全面升级,正式发布了 iGame VULCAN DDR4 内存。 iGame VULCAN DDR4 延续了 VULCAN 显卡纹理设计。值得一提的是,经过网友命名
2020-12-25 10:31:312466

谷歌第二代Tensor将由三星以4nm制程工艺代工,本月开始量产

据媒体报道称,谷歌第二代Tensor芯片将于这个月开始量产,代工方为三星,将会采用4nm制程工艺大规模生产该芯片。 Tensor是谷歌公司为其智能手机自研的芯片,第一代在去年8月发布,而第二代
2022-06-02 14:52:451273

三星2nm新消息:2025年开始量产,进一步优化结构、提升性能

,比5nm芯片功耗低45%,性能高23%,同时三星也开始了第二代3nm芯片的计划。 不止是第二代3nm芯片,三星也已经确定了将在2025年量产2nm芯片,同台积电之前宣布的时间一样。三星的2nm芯片将继续沿用GAA晶体管威廉希尔官方网站 ,并且将进一步优化内部结构,性能和功耗等方面会得
2022-07-08 14:42:101153

ddr4 3200和3600差别大吗

 DDR4 3200和3600内存模块的频率标准,表示其频率值,具有以下差异
2023-09-26 15:24:189011

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