盲源分离和盲辨识是盲信号处理的两大类型。盲源分离的目的是求得源信号的最佳估计,本文重点讲述了转子振动盲源分离。
2012-01-02 13:07:363254 挑战: 设计、开发并制造一种能够检测和分离循环肿瘤细胞(CTC)或母血中的胎儿细胞的工具,前者的目的是研究肿瘤学中的个体化治疗,后者是为了实现无创性产前诊断。
2021-04-19 11:38:002291 本文汇集了 SiC MOSFET 最新结果的特定方面,涉及由于应用交流栅极偏置应力(也称为栅极开关应力)导致的阈值电压 (VT) 退化及其影响沟槽几何器件对负偏压过应力 (NBO) 效应的强烈依赖
2023-12-22 09:37:02300 通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
2020-08-27 17:44:171005 /10 结果12345 再12345%10 结果是5就把第二位分离出来了3、进行这样的循环 这个数是6位就循环6次,把结果存放在一组变量中,这样就把这个数的各位都进行分离出来了4、数字首位为0,数码管不显
2015-02-20 21:02:02
剖析线缆与连接器威廉希尔官方网站
的测试要点
2021-05-11 07:17:13
在大约1000次循环之后,我无法可靠地从闪存中写入和读取数据,我想知道我备份和恢复数据的方式是否会导致该问题。第一次对微控制器编程后,我可以将数据保存到闪存中,但是在许多循环之后,数据读取是一个很大
2020-05-05 12:43:19
C语言深度剖析
2017-08-25 09:08:28
C语言深度剖析[完整版].pdfC语言深度剖析[完整版].pdf (919.58 KB )
2019-03-19 05:11:41
EEPROM擦写频率EEPROM擦写频率怎么理解?怎么根据擦写频率选择EEPROM还是flash?比如如下这个案列每100ms采集一次数据,每秒存20个字节(实际使用清空EEPROM存储的数据是每周
2022-11-09 18:56:36
STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM
2021-08-05 06:46:03
应用程序提供一个字节数据作为输入。数据应存储在SPI Flash中。然后固件使用该值进行计算,然后与FPGA进行I2C通信,将结果发送到FPGA。我应该如何分离SPI闪存以满足我的要求?在固件和引导
2018-11-29 11:50:35
能有着重要的影响。 河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室的研究人员,针对现阶段仍存在的问题,对于不同功率循环下的IGBT的热退化特性进行了研究。设计了动态实验,对不同的工作模式下IGBT模块的退化
2020-12-10 15:06:03
最近在用Labview做三相电流不平衡度以及谐波的相关问题,其中用到了FFT模块,用以输出各次谐波的幅值和相位,然后用For循环编写各次谐波正负零序分量的计算,我用负序分量来说明问题,程序如下1.
2013-10-14 17:30:46
急求:在labview中如何去直流分量
2017-04-24 18:41:48
STM32f030内部的FLASH擦写时间是多少?STM32f030内部的FLASH擦写次数是多少?STM32f030内部的FLASH擦写电流是多少?
2021-10-22 06:23:26
做了一个串口读取并分离的程序,但是目前只能进行实时分离,但是实时分离的话,整个程序运行很慢,分离速度也很慢。如果不进行实时分离的话,串口接收并存储数据很快,想法是把保存的数据打开另外进行分离,想问问各位大神怎么做到打开文件(格式是dat)进行分离。
2017-05-23 22:29:02
信号频谱零点处有很大的幅值是不是说明信号有直流分量,LabVIEW里怎么实现对信号直流分量的去除呢?
2013-11-13 09:30:45
【作者】:李璠;曾晨晖;【来源】:《测控威廉希尔官方网站
》2010年03期【摘要】:后驱动威廉希尔官方网站
作为故障注入的有效方法,适用于数字电路在线故障注入,然而后驱动威廉希尔官方网站
对器件产生的加速退化作用不容忽视。在分析后驱动威廉希尔官方网站
2010-04-22 11:29:19
基于labview的频谱细化分析方法
2012-05-06 11:35:33
概述有些应用有着严格实时需求,需要在操作闪存擦除/编程时保证程序仍然能运行及响应一些关键信息来保证整个系统的正常。但是一般存储执行擦写操作时CPU会停止运行,并且花费时间较长,这就会导致一些异常情况
2022-02-14 07:39:42
解决方案要贵得多。差异化的多晶硅浮栅嵌入式闪存多年来,大多数 IDM 都在为需要嵌入式闪存的应用使用类似的 1T 多晶硅浮栅堆叠解决方案。在过去二十年间,创新型分离栅极 SuperFlash?威廉希尔官方网站
凭借其
2020-08-14 09:31:37
本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究,得到较为完整的可靠性数据,并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿,从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有价值的数据。
2021-04-14 06:37:09
搜索相关资料,得知处理器的老化并不会影响计算规格和速度,那么它主要的退化指标(方便监测的)是什么呢?或者故障前会有哪些征兆?求大神解答~
2015-04-03 09:16:14
EEPROM通常擦写次数都在百万次以下,如果每秒写一次,几天就废了,有没有擦写次数无限制的类似产品?
2023-11-08 06:15:04
求xc886的Flash的擦写例程
2018-12-18 09:37:47
求大神详细剖析GM的VOLT车
2021-05-18 06:14:30
感性设备运行中,感性电流分量建立交变磁场,这种感性电流分量产生磁场能和电能相互转化,不转变成其它能量(如热能、机械能、化学能等),感性电流分量产生的功率在负载和之间往返,没有被消耗,称为无功功率;同样地对于容性负载,容性电压分量建立交变电场,电场能和
2021-09-10 06:20:41
“表观功率”。今天,我打算提出一个相关的比喻来解释栅极驱动器在PFC设计中的作用。首先,让我们来简单介绍一下PFC电路的分类。PFC电路整体上分为无源(被动式)或有源(主动式)电路。创建无源PFC电路,需要
2022-11-15 07:41:41
使用简化的SVPWM算法,直轴分量很小,使用经典的SVPWM算法,直流分量很大,这是为什么呢?
2017-11-02 14:59:32
大家好间接编程闪存有问题。该工具为ISE 14.7,闪存部分为s25fl512。FPGA部分为xc7k410t-2ffg900。我的主板上有两个FPGA,一个jtag菊花链。我使用4x spi配置
2020-06-05 10:17:49
大屏是数据可视化分析的一个展示方式,和pc(电脑)端、手机移动端一样都需要在pc端进行规划和设计。那么,怎么在pc端快速制作一张大屏数据可视化分析报表?需要注意些什么问题?我们接着往下看。一、报表
2020-09-08 16:58:47
以独立分量分析为主要对象, 描述了盲信号源分离威廉希尔官方网站
的基本模型,介绍了盲分离的主要方法和数学原理, 分析了盲信号源的可辨识性。提出基于神经网络无监督学习的盲分离方法
2009-03-10 20:46:0819 Xicro公司生产的X25Fxx 系列非易失性快速擦写串行 RAM 具有功耗低, 擦写速度快的特点 ,它采用 SPI 三总线接口,可与各种单片机连接,且具有很完善的数据保护功能。本文从应用角度出发
2009-04-25 16:01:3518 在实际的工作中,我们经常要用某种图像恢复算法对退化图像进行恢复。本文根据退化图像的特点,分析和研究了几种常用恢复算法的特点及适用情况,并在VC++.net 环境下对这些恢
2009-08-24 08:44:1713 该文以α 稳定分布作为噪声模型,研究了脉冲噪声环境下循环平稳信号的波达方向估计问题。针对在脉冲噪声环境中基于传统2 阶循环相关的算法效果显著退化的问题,该文提出了基
2009-11-09 11:49:427 本文在盲信号处理的背景下介绍了独立分量分析算法的原理及特点。针对语音信号复杂多变、但源信号保持相互独立的特点,采用了改进后的FICA 方法对混合语音信号进行分离,
2009-12-07 13:36:5810 图像人工退化即通过可逆的方式人为降低图像的视觉质量,主要应用于商用多媒体领域。本文提出了一种基于乘性噪声和混沌流密码的快速图像人工退化的算法,得到了此算模型
2009-12-22 11:51:1323 介绍两台35t/h 循环流化床锅炉存在的旋风分离器磨损情况,对其磨损原因进行了分析,并采取了改造,取得了良好的效果。
2010-02-04 14:22:429 鞍山市第二热电厂是与国家节能投资公司共同投资兴建的热电厂,一期工程采用由清华大学与四川锅炉厂联合研究试制的三台75T/H次高压平面流化分离循环流化床锅炉和引进奥
2010-02-04 14:45:1418 开发了一个基于闪存平台的嵌入式文件系统。为保证闪存扇区的平均使用率和均衡擦写次数,引入了损坏管理策略,在这种策略中采用了动态存储空间管理模式和先入先出(FIFO)策
2010-09-30 16:24:5721 色差分量接口色差分量(Component)接口采用YPbPr和YCbCr两种标识,前者表示逐行扫描色差输出,后者表示隔行扫描色差输出。色差分量接口一般利用3根信号线
2008-06-30 17:20:323923 V分量逐行倒相原理
2009-07-31 11:38:391300
图像信号中的直流分量
2009-07-31 12:21:544463
图像信号中的直流分量的影响
2009-07-31 12:22:421616 独立分量分析在心电信号处理中的应用
独立分量分析ICA(Independent Component Analysis)是近来发展起来的一种新的盲源分离方法BSS(Blind Source Separation)[1]。ICA处理的对象是一组
2009-11-07 09:58:371395 正确选择闪存写入缓冲区大小,优化擦写速度
在各种电子威廉希尔官方网站
快速发展和电子市场高速扩大的今天,存储器的需求量迅猛增长。在众多存储器类型中,NOR型闪存由于具有随
2009-11-23 10:00:04966 恒忆闪存抗X射线
恒忆闪存基于浮栅威廉希尔官方网站
。闪存晶体管的绝缘栅极(浮栅)捕获(或排除)电子,因此,晶体管的阈值电压被修改(偏离原始电压值)。在附加的编程和
2010-04-12 14:12:16641 恒忆闪存基于浮栅威廉希尔官方网站
。闪存晶体管的绝缘栅极(浮栅)捕获(或排除)电子,因此,晶体管的阈值电压被修改(偏离原始
2010-10-18 09:54:481629 简介
嵌入式微控制器越来越多样化,可以满足嵌入式系统市场的应用需求,而主流已经从传统的掩模ROM微控制器转向了内置闪存(可擦写的非易失性只读存储器)的闪
2010-11-17 10:08:28683 图像由于受到如模糊、失真、噪声等的影响,会造成图像质量的下降,形成退化的数字图像
2011-05-05 15:10:140 电力系统不对称运行分析方法 —对称分量法
2015-11-02 11:20:340 什么是闪存?闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。
2016-11-01 17:18:4224156 针对现有的NAND闪存垃圾回收算法对磨损均衡考虑不足的问题,提出了一种基于逻辑页冷热分离的NAND闪存磨损均衡算法。算法同时考虑了无效页的年龄、物理块的擦除次数以及物理块更新的频率,采用混合模式选择
2017-12-19 10:37:590 针对远场涡流检测中管道磁导率不均匀严重影响缺陷信号检测的问题,本文提出一种新的基于独立分量分析的远场涡流缺陷信号盲分离威廉希尔官方网站
。首先利用有限元仿真对独立分量分析在缺陷分离中的适用性进行了详细分析,证实
2018-01-17 11:46:530 广泛的应用前景,因此目前关于盲源分离的理论研究及实际应用快速发展,已成为信号处理领域的研究热点。 当源信号各分量差异较大或全局矩阵为非行元素优势矩阵时,基于串音误差的变步长等变自适应分离( EASI)算法难以正确评价分离效果,导致步长选取错误。针对该问
2018-01-29 15:04:250 针对如何提取纸币图像特征和提高识别率的问题,综合利用退化四元小波变换具有的相位特性,提出一种基于退化四元小波变换的纸币识别方法。该方法首先对采集的纸币图像进行倾斜校正和边缘检测,然后运用退化
2018-03-14 10:43:050 。SST25VF020B SPI
串行闪存采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash® 威廉希尔官方网站
制造。与其他方法相比,分离栅极单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。
2018-06-29 15:23:0010 CMOS SuperFlash® 威廉希尔官方网站
制造。与其他方法相比,分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。
2018-06-29 15:23:0021 “耐擦写能力 (Endurance)”(指 EEPROM)的定义中包含一些需要明确定义和理解的词语和短语。从以下段落可以看出,不同厂商使用不同的标准。“耐擦写循环(Endurance Cycling
2018-06-20 09:26:006 闪存块(Block)具有一定的寿命,不是长生不老的。前面提到,当一个闪存块接近或者超出其最大擦写次数时,可能导致存储单元的永久性损伤,不能再使用。随着闪存工艺不断向前,这个擦写次数也变得越来越小。
2018-07-25 11:09:164521 不过,也不全是好消息,因为全新的闪存是QLC,比TLC闪存擦写寿命更短,更别说和MLC相比了,目前TLC闪存的可擦写寿命为3000PE,而QLC的可擦写寿命为1000PE。但是QLC闪存容量大,价格
2018-09-05 15:29:504714 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
2018-10-07 15:37:0012471 细胞辨识、观察、计数与纯化分离是生物医疗领域中不可或缺的基础威廉希尔官方网站
。20世纪中叶,一种通过连续高压流体牵引大量细胞通过特定讯号辨识系统的概念被提出,并发展为目前生物医疗研究常用的一项设备-流式细胞分选仪。
2018-12-05 14:25:083716 如今市面上的SSD固态硬盘闪存以TLC、QLC闪存为主,而长寿命、高可靠的SLC、MLC已经退出消费级市场,只能在企业级、工业级、嵌入式等一些特殊领域找到,尤其是最早的SLC几乎绝迹。
2019-12-25 08:52:522824 基于温度步进应力实验,研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现: 在结温为 139 ~ 200 ℃ 时,AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 得益于容量大、价格低的优势,如今越来越多的SSD硬盘转向QLC闪存,大家担心的主要是QLC闪存的寿命,具体来说就是P/E擦写次数,通常在1000次左右,而IBM现在解决了QLC寿命问题,做到了史无前例的16000次擦写寿命,寿命比SLC还强。
2020-12-08 09:40:034096 本应用笔记旨在提供有关如何防止闪存意外擦写操作(可能导致轻微到灾难性现场故障)的指南和最佳实践。在固件中添加闪存编程保护功能有助于降低发生问题的风险,确保稳健的现场更新。以下内容通过了解潜在问题来提高固件的稳健性,并提供了避免这些问题的方法。
2021-03-30 14:19:078 “耐擦写能力 (Endurance)”(指 EEPROM)的定义中包含一些需要明确定义和理解的词语和短语。从以下段落可以看出,不同厂商使用不同的标准。“耐擦写循环(Endurance Cycling
2021-05-11 09:41:488 生化分析仪又叫生化仪,作为各级医院医学检验科中基本的诊断分析仪器,从研发到现在,经历了分光光度计、半自动生化分析仪、全自动生化分析仪三个阶段。工作原理也从手工操作发展为自动化分析,从有限的常规检测
2021-10-18 16:27:122856 剖析N930X可编程重复擦写语音芯片
2021-10-29 17:35:012 STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 APM32F103RCT6_Flash_擦写失败
2022-11-09 21:03:240 日前在Tech Field Day 2022威廉希尔官方网站
峰会预览下一代192层3D闪存芯片时,Solidigm明确指出,这是QLC颗粒(4bits/cell)。
2022-11-10 10:39:34700 AN5507_STM32H7 系列闪存接口中的循环冗余校验
2022-11-21 08:11:130 本文介绍了在电机驱动应用中为功率级选择隔离式栅极驱动器时,您有多种选择。栅极驱动器可简单可复杂,具有集成米勒箝位、分离输出或绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 发射极的欠压 (UVLO) 锁定参考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 参考图中 spring 解决循环依赖 的过程可知,spring 利用三级缓中的 objectFactory 生成并返回一个 early 对象,提前暴露这个 early 地址,供其他对象依赖注入使用,以此解决循环依赖问题。
2022-12-22 10:34:01328 近年来,随着微流控芯片威廉希尔官方网站
的不断发展,其在生化分析、临床医学和环境检测等领域展现出了巨大的应用潜力。微粒或细胞的分离是微流控芯片的一项重要应用。微流控芯片与磁泳结合的分离威廉希尔官方网站
以其低成本、高选择性和高生物相容性等优势为生化分析、临床医学和环境工程等领域开辟了新的发展方向。
2022-12-27 14:37:25871 在FreeRTOS环境下,如果外部擦写 Flash,禁用指令缓存以避免在多个任务中使用来自Flash 的分支预测和应用程序同步操作 Flash的缓存预加载指令。因为代码是XIP,所以向量
2023-01-30 09:18:311198 热稳定性,Ir钳形配合物在轻微苛刻的反应条件下就会分解,导致催化剂失活。同时,催化剂分离和循环利用问题也限制了均相催化剂的发展。因此,设计热稳定、高活性的单位点Ir脱氢催化剂仍然是一项挑战。 近日,中科院金属所沈阳材料科学
2023-05-23 11:33:02470 语音芯片因其具有功耗低,抗干扰能力强,外围器件少,控制简单,语音保存时间久,掉电不丢失语音,部分芯片还可以重复擦写语音内容的特点,那么哪些语音芯片是可以重复擦写的呢?下面请跟着九芯电子小编的步伐往下
2022-10-17 10:17:39451 NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存威廉希尔官方网站
,其中NANDFlash存储器具有容量较大,擦写速度快等优点。它们的广泛应用就不用小编敲黑板了吧?然而,市场上流行的NANDFlash产品,尤其是
2023-03-31 10:34:54383 HTMD线束在不良环境下使用,如灰尘、潮湿、腐蚀性气体等,会导致其性能退化。灰尘和污垢会进入HTMD线束内部,影响接触件的接触效果,导致传输信号不稳定。
2023-06-15 18:26:57386 高压连接器的材料退化是指其关键部件在受到环境因素、电应力和机械应力的作用后,性能逐渐下降的现象。
2023-07-05 17:26:29367 语音芯片的型号有哪些?为什么强烈推荐使用flash型可擦写的芯片。这里我们简单描述一下如下常见类容:
1、他们都有什么特点?以及发展的历程简介
2、常见的语音芯片有哪些?
3、为什么推荐使用flash型可以重复擦写的
2023-08-14 11:05:24397 一、正序、负序和零序分量 电力系统的正序、负序和零序分量是根据A、B、C三相的顺序来确定的。 1、正序分量 A相领先B相120°,B相领先C相120°,C相领先A相120°。 2、负序分量 A相落后
2023-09-19 09:43:054042 为什么源极退化电阻会使共源级的增益变小呢? 共源级放大电路是最常用的放大电路之一,其具有简单的电路结构、高输入电阻、低输出阻抗等优点。其常用的场合,如工业、农业、医疗等领域,均要求放大电路具有
2023-09-21 15:52:211385 一、在三相电路中,由于负载的不平衡,往往会使电路中的电压、电流不对称。要对这种不对称电压或电流进行分析,可以把它们分解成三组分量:正序分量、负序分量、零序分量。设电源的相序为ABC
2023-09-24 16:14:464495 针对当前飞机健康管理研究中缺乏寿命及可靠性基础数据的问题,以飞机液压系统为具体研究对象,分析了飞机液压系统中关键部件——液压泵的性能退化原因和机理,并构建了液压泵的性能退化模型。基于所建立的性能退化
2023-10-30 16:04:18551 服役状态下的 IGBT 模块处于亚稳定状态,其材料和结构会随着时间的推移发生状态改变或退化。IGBT 模块在整个寿命周期内,会经历数万至数百万次的温度循环冲击,这期间热应力的反复作用会使材料发生疲劳,造成模块封装结构的逐渐退化。
2023-11-19 10:03:53303 深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
2023-11-24 14:48:25220 什么是可重复擦写(Flash型)语音芯片?可重复擦写(Flash型)语音芯片是一种嵌入式语音存储解决方案,采用了Flash存储威廉希尔官方网站
,使得语音内容能够被多次擦写、更新,为各种嵌入式系统提供了灵活的语音
2023-12-14 10:08:54185
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