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NAND闪存深入解析

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2022-11-30 15:00:431519

开放式NAND闪存接口规范说明书

本规范定义了标准化NAND闪存设备接口,该接口提供了设计的系统支持一系列NAND闪存设备,无需直接设计预关联。该解决方案还为系统提供了无缝利用在系统设计时可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

Yole:NAND闪存及控制器的市场趋势

一、NAND闪存市场分析 据欧洲知名半导体分析机构Yole发布的报告显示,2020年起,NAND闪存市场发展趋势保持稳定增长,2021年,NAND闪存市场份额达到了近670亿美元(见图1),同年
2022-12-26 18:13:09991

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

NAND闪存 – 多芯片系统验证的关键元件

NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元(SLC)闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元(MLC),闪存可以为每个单元存储两个或更多位,因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND闪存特点及决定因素

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983

三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%

据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22221

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