闪存颗粒的封装形式介绍

　　闪存颗粒有TSOP和BGA两种封装形式，前者在颗粒两侧各有一排引脚，后者则在芯片底部有大量的信号触点。它们二者有何区别？

　　电脑老玩家们应该还记得第一代DDR内存以及更早的SDRAM内存条，当时内存颗粒也普通使用TSOP封装。下图是一条笔记本SDRAM内存条，工作频率100MHz，容量64MB：

　　而从DDR2开始，内存条颗粒全面转向BGA封装，工作频率和容量都比过去更高。

　　通过上面的例子大家应该已经能够猜出，TSOP并不适合高速信号传输，在存储密度上也不及BGA封装。但是对于固态硬盘来说，TSOP封装能够在Toggle标准下实现400MT/s传输速率，足以应对SATA固态硬盘的需求。

　　尽管TSOP在理论上不够先进，但在2.5寸SATA固态硬盘当中有足够的空间容纳大量的颗粒，在SATA3.0接口的限制下TSOP闪存性能也没有空间或者性能上的瓶颈。

　　东芝TR200就部分使用了TSOP封装的3DTLC闪存，实惠稳定的口碑并没有受到TSOP的影响。

　　即便是在体积更紧凑的M.2固态硬盘中，同样有使用TSOP封装闪存颗粒的型号，基本都属于SATA协议的产品。PCB横向宽度足够容纳它，四颗颗粒也完全填满主控的四个闪存通道，没有不良影响。

　　而在高速NVMe固态硬盘当中，清一色都是BGA封装的闪存颗粒，这是闪存读写带宽的需要，也是完整利用主控闪存通道的需要。

　　BGA封装可以取得比TSOP更高的接口速度，闪存同主控之间的数据传输速率可以提升到533MT/s以上，满足填饱PCIE3.0x4接口的需求。同时，采用BGA封装的闪存颗粒可以引出多个闪存通道，从而充分利用高端NVMe主控的8通道优势。

　　作为NVMe旗舰机型，东芝RD500使用了8通道TC58NC1201GST主控，搭配96层堆叠BiCS43DTLC闪存，取得了标杆级的性能表现。

　　对于未来PCIE4.0固态硬盘而言，下一代铠侠（原东芝存储）BiCS5将提供1200MT/s的闪存接口，如此高的传输速率唯有BGA封装才能实现。而入门级的SATA固态硬盘或将继续沿用成熟的TSOP封装形式，这也是闪存满足不同需求的体现。