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如何选择英飞凌OptiMOS™ 与 StrongIRFET™ ?

OptiMOS™功率MOSFET拥有一流的出色表现。其特点包括极低的RDS(on) 以及高效率和高功率密度,是开关频率较高的应用的理想之选。
StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计,特别适合于开关频率较低以及需要较高载流能力的应用。
这一强大的产品组合涵盖10V–300V区间,具有卓越的性能和出色的性价比,可满足广泛的需求。

产品展示

打卡任意三个产品,或下载两个文档,可获得最多两次抽奖机会

OptiMOS™ 6 家族

使用 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 将您的设计提升到更高的系统效率水平

英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列可实现最高水平的系统效率。OptiMOS™ 6 采用最先进的沟槽工艺,在开关/导通损耗和电流能力方面有显著改进。这些改进可降低系统损耗,从而提高功率密度、电路板温度和整体系统可靠性。目标应用包括开关模式电源(SMPS) 、可再生能源、Oring 电路、电机驱动、LEV 和电池供电应用。

该系列包含多款产品,包含全新推出的200V,以及120V, 100V,与40V家族。

  • OptiMOS™ 6 200V
  • OptiMOS™ 6 120 V
  • OptiMOS™ 6 100 V
  • OptiMOS™ 6 40 V
  • 重新定义行业标准
    英飞凌新的200v MOSFET系列采用最新的OptiMOS™6
    MOSFET沟槽威廉希尔官方网站 ,可实现高功率密度、高效率和系统可靠性。

    产品优势

    • 低传导损耗
    • 开关损耗低
    • 改善了EMI
    • 减少了并联的需要
    • 并联时更好的电流共享
    • 符合RoHS,无铅

    威廉希尔官方网站 优势

    • 与上一代相比,室温下RDS(开启)减少42%,175°C时减少53%
    • 降低了Qrr和提高了电容线性度,提高了开关性能
    • 在不影响EMI的情况下,降低传导和开关损耗
    • 改进了SOA以增加保护开关应用中的MOSFET电流处理
    • 设计优化和生产精度使可靠的高性能威廉希尔官方网站

    OptiMOS 6 200V 介绍视频

    • OptiMOS 6 200V 介绍 PPT
    • MOSFET系列 应用文档
    • 在大电流应用中并联 MOSFET
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  • 英飞凌的 OptiMOS™ 6 120 V功率MOSFET系列适用于高频和低频的硬开关和软开关应用,提供正常和逻辑电平两种类型。它可广泛应用于工业电源、太阳能、电源充电器、低压驱动器和电动工具等领域。

    产品优势

    • 最高的效率
    • 高功率密度
    • 系统可靠性高
    • 高效的器件,导致更少的冷却需求和更少的并联器件数量
    • 可灵活选择PCB材料

    威廉希尔官方网站 优势

    • 业界在120 V中最低的RDS(on)
    • 在各种应用的开关和传导损耗之间取得最佳平衡
    • 在不需要150 V电压的情况下,有更低的RDS(on)和FOMs
    • 广泛的封装选择:用于FR4和IMS PCB的SMD,顶部冷却和THD
    • 具有工业资质和Tj_max = 175°C,可实现卓越的功率处理和坚固性
    • 与 100 V 器件相比,提供了更高的电压余量

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  • 英飞凌 OptiMOS™ 6 power MOSFETs 100 V系列是电信和太阳能等高频开关应用的理想选择。英飞凌领先的薄晶圆威廉希尔官方网站 实现了显著的性能优势。

    产品优势

    • 导通损耗低
    • 开关损耗低
    • 快速开启和关闭
    • 减少并联
    • 性能稳健可靠
    • 环保

    威廉希尔官方网站 优势

    • RDS(on)降低约 20%
    • FOMg 改善了 30%,FOMgd 改善了40%
    • 较低和较柔和的反向恢复电荷 (Qrr)
    • 175 °C 结温等级
    • 高雪崩能量等级
    • 无铅镀层,符合RoHS标准

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  • OptiMOS™6 40V 结合了同类最佳的RDS(on)以及优越的开关性能。英飞凌市场领先的OptiMOS™6 功率MOSFET 40V备有两种不同的封装:
    - SuperSO8 - 5 x 6 mm with RDS(on) 范围从5.9 mΩ降至0.7 mΩ
    - PQFN 3x3 - 3.3 x 3.3 mm with RDS(on)范围从6.3 mΩ降至1.8 mΩ

    产品优势

    • 低开关损耗
    • 低寄生效应和低工作温度
    • 低栅极驱动损耗
    • 符合 RoHS 标准的无铅产品

    威廉希尔官方网站 优势

    • 超低 QG
    • 低 RDS(on)
    • 裸露焊盘
    • 逻辑和普通栅极驱动两种形式
    • 符合 RoHS 标准

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StrongIRFET™

StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计,特别适合于开关频率较低以及需要较高载流能力的应用。

  • StrongIRFET™ 2 Power MOSFET
  • StrongIRFET™ Power MOSFET
  • StrongIRFET™ 2系列,采用新一代功率MOSFET威廉希尔官方网站 ,可满足 开关电源、 电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等多种应用需求。

    该系列产品实用性强、性价比高,对于追求便捷选购的设计师而言,堪称理想之选。 该系列产品针对低开关频率和高开关频率进行了优化,可为各种应用提供支持,实现灵活设计。新产品支持各类封装,包括TO-220, TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引脚以及DPAK封装。

    与之前的 StrongIRFET™ 器件相比,这项新威廉希尔官方网站 可提供高达 40% 的 RDS(on) 改进和高达 60% 的 Qg 降低,从而转化为更高的功率效率,从而提高整体系统性能。 更高的额定电流可实现更高的载流能力,无需再并联多个器件,从而降低了 BOM 成本并节省了电路板面积。

    StrongIRFET™ 2 系列功率 MOSFET 威廉希尔官方网站 适用于各种应用,例如 SMPS、电机驱动、电池供电、电池管理、UPS 和轻型电动汽车。

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  • StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低R DS(on)和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合于要求高性能和耐用性的低频应用,如电池供电电路以及用于包括电动工具、轻型电动车辆和需要高能量的电动自行车等终端应用在内的有刷和无刷直流(BDLC)电动机驱动器。在该器件的应用下,系统的能量效率将得到提高。

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中奖名单

    温馨提示
    活动结束后由工作人员统一邮件核对快递地址,奖品将在15个工作日内寄出。
    如因注册报名信息不全,导致在活动结束前无法与您取得联系,将视为自动放弃领奖机会。

    活动说明:

    1. 抽奖规则:在此期间内完成打卡的工程师用户,可获得抽奖机会;打卡任意三个产品,或下载两个文档&观看视频,可获得最多两次抽奖机会。请如实填写资料,以便中奖后与您联系及安排奖品寄送。

    2. 活动期限:即日起——2024年7月31日

    3. 仅限电子行业人员参与,不支持小号、马甲号参与抽奖,一经发现立即取消中奖资格。

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