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请各位高手求助:
1、在二极管加正偏电压时,当两端电压(外电场)大于耗尽区所形成的内电场时(硅管大约为0.7),二极管开始导通。书上说耗尽区变窄(还可以说是外电场削弱内电场),请问导通时 耗尽区是否消失? 2、当二极管的正偏电压未达到导通电压时,其电阻很高,因为电压变化较大,而电流变化较小。当正偏电压大于导通电压时,二极管导通,其电阻很小,因为电压变化很小,却导致电流的很大变化,所以叫作动态阻抗。 请问这个动态阻抗是如何形成的?导通前可以理解为由内电场和半导体本身的材料电阻之和,导通后就只有半导体本身材料的电阻了.这样理解对吗?如果这样理解岂不是说导通后内电场消失了?? 我问的太细了 ,期望高手能给与指点,我在此谢过啦。 |
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3 个讨论
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本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:42 编辑
被广告给挡着了 再发一遍了 请各位高手求助: 1、在二极管加正偏电压时,当两端电压(外电场)大于耗尽区所形成的内电场时(硅管大约为0.7),二极管开始导通。 书上说耗尽区变窄(还可以说是外电场削弱内电场),请问导通时 耗尽区是否消失? 2、当二极管的正偏电压未达到导通电压时,其电阻很高, 因为电压变化较大,而电流变化较小。当正偏电压大于导通电压时,二极管导通,其电阻很小, 因为电压变化很小,却导致电流的很大变化,所以叫作动态阻抗。 请问这个动态阻抗是如何形成的?导通前可以理解为由内电场和半导体本身的材料电阻之和,导通后就只有半导体本身材料的电阻了.这样理解对吗? 如果这样理解 岂不是说导通后内电场消失了?? 我问的太细了 ,期望高手能给与指点,我在此谢过啦。 |
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高手都哪里去了????????????????????????????????????????????????????????????
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