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本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑 磁阻传感器的工作原理 1. 1 磁阻效应 物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效 应。对于铁、钴、镍及其合金等强磁性金属,当外加磁 场平行于磁体内部磁化方向时, 电阻几乎不随外加 磁场变化;当外加磁场偏离金属的内磁化方向时,此类金属的电阻值将减小, 这就是强磁金属的各向异 性磁阻效应。 1. 2 磁阻传感器 HMC1021Z型磁阻传感器由长而薄的玻莫合金 (铁镍合金) 制成, 利用标准的半导体工艺, 将薄膜 附着在硅片上,如图1 (a) 。 
时电阻率。当沿着铁磁合金带的长度方向施加一个 电流,在垂直于电流的方向施加一个磁场时,合金带 自身的阻值会发生最大的变化。同时制作时还在硅 片上设计了两条铝制电流带,一条是置位/ 复位带, 该传感器遇强磁场感应时,将产生磁畴饱和现象,此 偏置磁场带用来磁畴排列的复位(即恢复灵敏度) , 也可用来置位或复位输出的极性; 另一条是偏置磁 场带,用来产生一个偏置磁场以补偿环境磁场。 HMC1021Z型磁阻传感器是一维磁阻微电路集 成芯片,是一种单边封装的磁场传感器,感应与管脚 平行方向的磁场,其结构为惠斯登电桥, 如图1 (b) 。 其中供电电源为Ub , 在电阻器中有电流流过。在电 桥上施加一个偏置磁场H , 使得两个相对放置的电 阻器的磁化方向朝着电流方向转动, 引起电阻阻值 增大;另外两个相对放置的电阻器的磁化方向背向 电流方向转动,引起电阻阻值减小。这样就将磁场转 换成差动输出的电压,该输出电压Uout 可以用下式 表示为
其中 R 为薄膜电阻;ΔR/ R 为阻值的相对变化 量; Ub 为传感器的工作电压。 
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