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电机驱动MOS管H桥的原理

2016-1-12 17:18:51 14266 高电平电机开关

0 电机驱动-MOS管H桥原理 H桥电路的主要目的是提供大电流的回路，用来驱动电机的。常用H 桥电路来控制电机的正反转。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS 管H 桥。桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关，P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1 置高电平（U=VCC）、控制臂2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭，Q2、Q3 导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。设为电机正转。控制臂1 置低电平、控制臂2 置高电平时，Q2、Q3 关闭，Q1、Q4 导通，电机左端高电平，右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。设为电机反转。当控制臂1、2 均为低电平时，Q1、Q2 导通，Q3、Q4 关闭，电机两端均为高电平，电机不转；当控制臂1、2 均为高电平时，Q1、Q2 关闭，Q3、Q4 导通，电机两端均为低电平，电机也不转，所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H 桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。（另外还有4 个N 型场效应管的H 桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883，原理基本相似，不再赘述。）下面是由与非门CD4011 组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V，而我们小车使用的H 桥的控制臂需要0V 或7.2V 电压才能使场效应管完全导通， PWM 输入0V 或5V时，栅极驱动电路输出电压为0V 或7.2V，前提是CD4011 电源电压为7.2V。切记！！故CD4011 仅做“电压放大”之用。之所以用两级与非门是为了与MC33886 兼容。 42
2016-1-12 17:18:51　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 电机驱动-MOS管H桥原理 118 • 场效应管电机驱动 MOS管H桥原理 3 • 场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 59 • 场效应管电机驱动MOS管H桥原理 1882 • H桥驱动原理以及MOS管H桥电机驱动电路图 15573 • 探索MOS管H桥电路与电机专用驱动方案 1023 • H桥驱动原理，mos管h桥电机驱动电路图 19596 • mos管h桥电机驱动电路图 143859 • P-N MOS管 H桥的驱动原理是如何的？H桥驱动电机原理图和资料免费下载 143 • MOS管H桥驱动问题 2255 34 个讨论

0 H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。

2016-1-12 17:26:25 评论举报 1^# jinyi7016

0 jinyi7016 发表于 2016-1-12 17:26 H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。为了进群抢红包，你这回帖回的也是够拼的啊

2016-1-12 17:31:53 评论举报 2^# 24不可说

0 本帖最后由 jinyi7016 于 2016-1-12 01:58 编辑 24不可说发表于 2016-1-12 01:31 为了进群抢红包，你这回帖回的也是够拼的啊昨天就够了。早就已经进了~~~

2016-1-12 17:55:53 评论举报 3^# jinyi7016

0 {:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}长不长{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{:1:}{

2016-1-13 08:54:34 评论举报 4^# 冒汗的心情

0 为什么看不见后面的电路

2016-1-14 08:01:33 评论举报 5^# 王双双

0 很基础的东西，，，

2016-1-19 09:23:51 评论举报 6^# 范清华

0 最近也研究BLDC使用N+P MOS桥驱动，温度很高，DS电阻大，N管GS电压2.5V，P管GS电压4.7V应该驱动电压足够把？

2016-4-22 21:14:30 评论举报 7^# hua1988

0 不错感谢楼主分享

2016-5-13 22:06:31 评论举报 8^# 王栋春

0 不错分享是值得赞的、、

2016-5-13 22:28:55 评论举报 9^# ZWRAK

0 我其实是想看看后面还有没有电路的

2016-5-14 22:03:00 评论举报 10^# Dusan_12

0 看来各路诸侯纷纷来逐鹿了

2016-5-15 18:49:47 评论举报 11^# birdinskydzfsy

0 FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下工作。FD6288内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6288内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通，有效保护功率器件。FD6288内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。 QQ:95166837

2016-5-18 16:23:21 评论举报 12^# 冯美玲

0 很不错感谢分享

2016-5-22 18:26:44 评论举报 13^# 许传亮

0 但是这个电路里有一个问题就是场馆导通 G必须要高与S 这个比电源高的电源去哪里弄呢？请指导

2016-5-22 18:27:33 评论举报 14^# 许传亮

0 电机研发基地，河南的工作机会，电机驱动工程师（同步异步电机的皆可），有兴趣的请加QQ：2158503327，简历投递邮箱：2158503327@qq.com，谢谢！

2016-5-24 08:58:16 评论举报 15^# Nina欧阳

0 很不错感谢分享

2016-5-24 11:42:32 评论举报 16^# 鲁辉

0 不错的东西，谢谢楼主分享

2016-5-24 12:31:22 评论举报 17^# 刘乃铭

0 FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下工作。FD6288内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6288内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通，有效保护功率器件。FD6288内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。有全套方案详细加QQ:95166837

2016-5-25 15:30:55 评论举报 18^# 冯美玲

0 hua1988 发表于 2016-4-22 21:14 最近也研究BLDC使用N+P MOS桥驱动，温度很高，DS电阻大，N管GS电压2.5V，P管GS电压4.7V应该驱动电压足够把？不够，4V或者10V，不然MOS管发热严重

2016-9-28 12:45:12 评论举报 19^# h1654155874.4656

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